パワー半導体の信頼性試験に欠かせないパワーサイクル試験装置です。
本装置は、試料（IGBT、IPM、SiC、GaN、Diode 等）に、規定の電力を消費させ、決められた時間内で断続通電を行い、試料の信頼性試験を行う装置です。 同時に熱抵抗測定も可能であり、そのデータをHOST PCに取り込みます。
基本情報パワーサイクル試験装置
通電モード 連続・間欠 （熱抵抗測定可能）
通電電源 定電流 ～800A max
開放電圧 16V
Vce設定 ～10.0V （IGBTの場合、VGEは自動コントロ－ル）
時間設定 通電時間 0.5 ～ 600.0Sec
停止時間 １～ 3600Sec
回数設定 サイクル数（運転モード共通) 999999回
間欠動作回数（カウンタ－機能付き） 9999999回
動作モード １）定電力 （IGBT）
２）VCE(ON) （IGBT・IPM）
３）VF （Diode）
温度調整 強制空冷式ヒートシンク
※本仕様は一例です。詳細はお問い合わせください。
| 用途／実績例 | 本装置はデバイスを実使用環境下もしくは過酷環境下において長時間動作させ、デバイスの長期信頼性を評価するためのものです。 |
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