トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバイスをご提供！高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適！
トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイスです。
ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。
日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。
【特長】
■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適
■製品耐圧：650V、900V
■オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ)
■パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88 など
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基本情報次世代素材で未来のエネルギーに革命を！『GaN パワーデバイス』
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| 価格帯 | お問い合わせください |
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| 納期 | お問い合わせください |
| 型番・ブランド名 | Transphorm GaN HEMT |
| 用途／実績例 | - ブリッジレス・トーテムポールPFC回路 - 位相シフトフルブリッジ - 高スイッチング周波数LCC - Power Supply - Servo Motors - その他 |
カタログ次世代素材で未来のエネルギーに革命を！『GaN パワーデバイス』
取扱企業次世代素材で未来のエネルギーに革命を！『GaN パワーデバイス』
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