容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが可能な炉体移動式のVGF炉です
『MAT-200VGFHQ』は、石英管式炉体移動型の炉構造であるVGF製造炉です。
ヒ素圧1atm中で育成するので、容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが
可能。常用温度は1200℃、最高温度は1300℃です。
また、育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離します。
さらにPBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能です。
【特長】
■育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離
■PBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報6インチ用縦型VGF製造炉『MAT-200VGFHQ』
【仕様(一部)】
■炉構造:石英管式炉体移動型
■最高温度:1300℃
■常用温度:1200℃
■温度分布1200±2℃程度 約200Lmm
■ゾーン数:6ゾーン
■移動速度
・低速:0.1~10mm/h.
・高速:3~300mm/min.
・移動距離:1650mm
■炉芯管内径:石英管φ200mm 6インチ用
■雰囲気:自動真空置換式 Arガス
■真空ポンプ:ロータリーポンプ など
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯 | お問い合わせください |
---|---|
納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。 |
カタログ6インチ用縦型VGF製造炉『MAT-200VGFHQ』
取扱企業6インチ用縦型VGF製造炉『MAT-200VGFHQ』
6インチ用縦型VGF製造炉『MAT-200VGFHQ』へのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。