GaN Systems製GaNパワートランジスタ「GS61008T-E01-MR」の構造解析・プロセス解析！
当社では、『GaN Systems製100VGaNトランジスタ(GS61008T-E01-MR)
構造解析、プロセス解析レポート』をご提供しております。
構造解析レポートではGaN Systems製GaNパワートランジスタ
「GS61008T-E01-MR」の詳細を明らかにし、プロセスフロー解析
レポートでは構造解析の結果に基づいてチップ製造プロセスの
推定を行っています。
【レポート内容】
■構造解析レポート
・パッケージ外観、X線観察、チップ平面解析(配線接続、レイアウト確認)、
チップ断面解析(GaNトランジスタ、チップ端部)、GaN-Epi層TEM-EDX分析
・電気特性測定(Id-Vd、BVdss、容量特性)
■プロセス解析レポート
・製造プロセスフロー抽出・推定、マスク枚数、プロセス・シーケンス断面図
・電気特性と素子構造の関連解析
※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報100VGaNトランジスタ構造解析、プロセス解析レポート
【Table of Contents】
■構造解析レポート
1．デバイスサマリー
2．解析結果まとめ
3．パッケージ
4．平面構造解析
5．断面SEM構造解析
6．断面TEM構造解析
7．TEM-EDX分析
8．電気特性評価
■プロセス解析レポート
1．GaN Systems GaN HEMT(GS61008T-E01-MR)
2．GS61008T-E01-MR解析結果まとめ
3．プロセスフロー
4．電気特性解析
5．関連文献目録
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| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。 |
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取扱企業100VGaNトランジスタ構造解析、プロセス解析レポート
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