製造プロセスフロー概要およびGaNトランジスタ、抵抗と静電容量の構造を明確にします
当社では、『Navitas GaN Power IC(NV6117&NV6115)構造解析レポート』を
ご提供しております。
NV6117とNV6115の低耐圧トランジスタ、抵抗素子、静電容量素子および
GaNエピ層の構造は、同構造と推測されるため、サンプルを使い分けて
解析しています。
【レポート内容】
■600V GaN製品の比較(NAVITAS、GaN Systems、Panasonic)
■PKG観察、X線観察、チップ観察
■チップ平面観察
■高耐圧/低耐圧GaNトランジスタ、抵抗素子、静電容量素子の断面SEM解析
■GaNエピ層TEM-EDX材料分析
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基本情報Navitas GaN Power IC構造解析レポート
【Table of Contents】
1．デバイスサマリー(表1)
2．パッケージ
3．チップ平面解析
4．平面観察
5．断面構造解析(SEM)
6．TEM構造解析
7．電気特性評価：ON抵抗解析
8．付録解析：GaN HEMT EDX分析データ
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| 価格帯 | お問い合わせください |
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