IGBTモジュール構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポートエルテック

富士電機製EV、HEV用IGBTモジュール(6MBI800XV-075V-01)について解析！

当社では、『富士電機製EV、HEV用IGBTモジュール(6MBI800XV-075V-01)
構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート』をご提供しております。

RC-IGBTのIce-Vce特性、オフ状態コレクタリーク電流及びブレーダウン電圧を
それぞれ測定し、オフリーク電流の温度依存性から活性化エネルギーを算出。
インフィニオン社製IGBT7と比較しています。

【解析のポイント】
■モジュール解析レポートでは、モジュールの内部構成を確認し、RC-IGBTの
　配置及びレイアウトを明らかにしている
■チップ構造解析レポートでは、RC-IGBTのIGBT、FWD領域の平面レイアウト
　及び断面構造を明らかにしている
■プロセス解析レポートでは、RC-IGBTのプロセス技術に関する考察、
　マスク枚数及び製造プロセスフローを推定している　など

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基本情報IGBTモジュール構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート

【目次】
■RC-IGBTモジュール構造解析レポート
　1．表1：デバイスサマリー(モジュール)
　2．モジュール外観観察
　3．モジュール構成
　4．冷却法、構成
　5．モジュール断面構造・材料分析(EDX)
　6．関連特許目録
■RC-IGBTモジュールIGBTチップ構造解析レポート
　1．デバイスサマリー
　2．搭載チップ概要
　3．Si IGBTチップ解析
　4．セル部EDX分析結果
　5．追加解析リスト
■RC-IGBTモジュールIGBTプロセス、デバイス特性レポート
　1．Fuji Electric RC-IGBT(6MBI800XV-075V-01)エグゼクティブサマリー
　2．RC-IGBTデバイス構成
　3．プロセス技術に関する観察と考察
　4．製造プロセスフロー解析
　5．電気特性評価
　6．関連文献目録
　7．関連特許目録

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