大分デバイステクノロジー株式会社 次世代型パワーモジュール汎用パッケージ 【FLAP】
- 最終更新日：2022-02-08 15:11:24.0
- 印刷用ページ
SiC・GaN・Ga203のような高性能デバイス搭載向けの次世代型パワーモジュール汎用パッケージ
通常のパワーモジュール汎用パッケージでは、SiC・GaN・Ga203のような、高性能デバイスでの使用には不向きでした。
弊社が開発した次世代型パワーモジュール汎用パッケージFLAPは、これらの問題を解決し、体積・熱抵抗・パッケージインダクタンスなどの指標において従来品より大きく改善いたしました。
基本情報次世代型パワーモジュール汎用パッケージ 【FLAP】
外形寸法 [mm]
91%減
従来構造モジュール 147×60×18
FLAP 71×40×5
熱抵抗 [℃/W]Rth_j-c
91%減
従来構造モジュール 0.122
FLAP 0.088
パッケージインダクタンス[nH]
92%減
従来構造モジュール 58
FLAP 4.7
弊社独自の以下のテクノロジーによって実現し、特許を取得いたしました。
・金属粒子焼結合技術
・主回路接続部への超音波接合技術
・小型パッケージ設計技術（高耐熱材料、低熱抵抗パッケージ構造等）
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 型番・ブランド名 | FLAP |
| 用途／実績例 | SiC・GaN・Ga203など高性能デバイス搭載向けモジュール |
取扱企業次世代型パワーモジュール汎用パッケージ 【FLAP】
-
-
半導体アセンブリ事業 半導体試作・開発サポート事業 半導体前工程製造事業
次世代型パワーモジュール汎用パッケージ 【FLAP】へのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。
