算術平均粗さ（Ra）を0.06nmまで低減可能です
『ステップアライメント処理』は、単結晶 SiC ウエハ表面
（エピ表面を含む）の平滑化を促進する前処理（または後処理）です。
単結晶SiCのSi面に対して顕著な平滑化の効果を発揮し、
微傾斜基板に対してはステップ間隔の均一化を促進。
SiC基板に与える熱的ストレスが小さいことに加え、
バッチ式の処理であるため、処理枚数が増えるほどコストが低減します。
【実績】
■SiCデバイス製造工程においては、熱酸化膜前に
ステップアライメント処理を施すことにより、酸化膜/SiC界面の
平滑性が向上することが確認されている
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