シリコンインゴット、インゴット
製品説明
CZ法（チョクラルスキー法）と呼ばれる製造方法によりシリコンウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。
主にデバイス製造工程の一つであるエッチングプロセスに使われ、極めて重要な消耗材料です。弊社がお客様の要求に応じて、各種のサイズと抵抗率のシリコンインゴット製品を提供できます。
基本情報シリコンインゴット
直径mm：φ200-φ550
タイプ：P
結晶方位：<100>/<111>
純度 ：10～11N
电阻率（Ω.cm）：
≤0.01
1-4
60-90
オーダーメイド
長さ：オーダーメイド
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 主にデバイス製造工程の一つであるエッチングプロセスに使われ、極めて重要な消耗材料です。弊社がお客様の要求に応じて、各種のサイズと抵抗率のシリコンインゴット製品を提供できます。 |
取扱企業シリコンインゴット
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半導体材料： シリコンウェーハ、シリコンインゴット、半導体装置用大口径インゴット、SiCウェーハ、SiCインゴット、GaNウェーハ、サファイアウェーハ、化合物半導体などの製造・販売をご提案します。 そしてシリコンウェーハ、SiCウェーハ、GaNウェーハ、サファイアウェーハの研磨・加工事業を提供いたします。 インゴットの育成装置製造・販売をご提案します。 パーツ関連材料： シリコンプレート、シリコンシリンダーおよびシリコンリングなどのシリコンパーツ関連材料を提供します。 セラミックス基板およびセラミックス加工品を提供します。 モジュール材料：Metal Matrix Composites(Ai/SiC)及びCu-Moを主成分とするスペーサー、基板、ハウジングなどの金属系複合材料を提供します。 電池材料： 人工黒鉛、天然黒鉛、シリコンベースの負極材料、新型素材、リチウムイオン電池用セパレーターおよびリチウムイオン電池用アルミニウム箔等を提供いたします。
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