イサハヤ電子株式会社 ゲートドライブユニット『VLB512/VLB519-01R』
- 最終更新日：2023-08-31 14:33:41.0
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モジュール自身から出力されるRTC信号と協調し、短絡保護機能を実現！
『VLB512-01R/VLB519-01R』は、三菱電機株式会社製RTC回路内蔵SiCMOSFETモジュール用ゲートドライブユニットです。
【特長】
■シンプルで扱いが容易な2回路入りゲートドライブシステム
■モジュール内RTC回路に対応した短絡検出回路内蔵
■短絡保護回路内蔵
■MOSFET モジュールとはハーネスで接続
■ゲート電源用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵
■出力ゲートピーク電流 +/-30A(max)
■絶縁耐圧 4000Vrms (1分間)
【仕様】
＜VLB512-01R＞
■ゲート出力パワー：最大10W
■基板サイズ：90×145mm
＜VLB519-01R＞
■ゲート出力パワー：最大3.75W
■基板サイズ：80×130mm
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報ゲートドライブユニット『VLB512/VLB519-01R』
【ターゲット SiCMOSFET モジュール】
FMF600DXZ-24B/FMF800DXZ-24B
FMF1200DXZ-24B/FMF300DXZ-34B
FMF300BXZ-24B/FMF400BXZ-24B
FMF400DY-24B etc.
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| 価格帯 | お問い合わせください |
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| 納期 | お問い合わせください |
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カタログゲートドライブユニット『VLB512/VLB519-01R』
取扱企業ゲートドライブユニット『VLB512/VLB519-01R』
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