GaAsフォトダイオード　OSI optoelectronics オプトロンサイエンス

◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ ◆400から850nmに感度があり

アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。
一般的に400から850nmに感度があります。

【フォトダイオードアレイ】
FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用にデザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。
●仕様
［モデル名：アクティブエリア・応答性・キャパシタンス・ダーク・カレント・最大逆電圧・最大フォワードカレント・バンド幅・ブレイクダウン・電圧・パッケージ］
・FCI-GaAS-4M：70um・0.63 A/W　850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz　850 nm・50 V・FCI-GaAS-4M
・FCI-GaAS-12M：70um・0.63 A/W　850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz　850 nm・50 V・FCI-GaAS-12M

関連リンク - https://www.opt-ron.com/product/osi_gaas_pd

基本情報GaAsフォトダイオード　OSI optoelectronics

【ダイオード　アンプハイブリッド】
FCI-H125/250G-GaAs-100シリーズは、アクティブエリアサイズ100μmの高範囲トランスインピーダンスアンプを備えたコンパクト高速GaAsフォトディテクタです。
●仕様
［モデル名：アクティブエリア・提供電圧・提供電流・オペレーティング波長・応答性・トランスインピーダンス・感度・バンド幅・低周波数カットオフ・差動出力］
・FCI-H125G-GaAs-100：100μm・+3 to +5.5V・26mA　0 to +70°C・650-860nm・1700V/M　-17dBm・2800 Ω　-17dBm・-26dBm　BER 10-10 PRBS27-1・900 MHz　-3dB・45 kHz　-3dB・250 mV p-p　-3dBm
・FCI-H250G-GaAs-100：100μm・+3 to +5.5V・35mA　0 to +70°C・650-860nm・1650V/M　-17dBm・2800 Ω　-17dBm・-22dBm　BER 10-10 PRBS27-1・1700 MHz　-3dB・30kHz　-3dB・400mV p-p　-3dBm

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型番・ブランド名	OSI optoelectronics
用途／実績例	-

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取扱企業GaAsフォトダイオード　OSI optoelectronics

株式会社オプトロンサイエンス

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