【新製品】脱脂用洗浄剤 『ネクシアS-63』フッ素系洗浄剤

PRHFCを含まないフッ素系洗浄剤！様々な法規制に非該当！PC・ABS樹脂…

『ネクシアS-63』は脱脂洗浄に適したフッ素系洗浄剤です。鉱物油系加工油付着の鋼板・金型・ロール等の手拭き洗浄、金属加工部品の浸漬洗浄等が可能。他フッ素系洗浄剤と比べて、コストパフォーマンスに優れております。HFCを含まないフッ素系洗浄剤のため、環境に配慮した洗浄剤です。 『ネクシアS-63』の主な特長 1)HFC,臭素を含まないため、法規制の該当が少ないことによる扱いやすさ 2)オゾン破壊係数...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社カネコ化学

【X線CT：受託計測】非破壊内部検査　

PR非破壊による内部の欠陥・状態観察が可能！ X線CTによる受託計測・解析…

進和メトロロジーセンターでは、 カールツァイス社　計測X線CT ZEISS METROTOMを所有し、受託計測業務を実施しております。 これまでの受託実績を踏まえて お客様のご要望にお応えしていきます。 検査内容 〇内部欠陥解析 〇CAD比較 〇寸法測定/幾何公差評価 〇繊維配向観察 〇肉厚測定 ○接合状態の観察　 【受託依頼　フロー】 1）　お問合せ（IPROS, ホームページ、Eメール...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社進和 戦略営業推進室

【分析事例】半導体基板中軽元素の高感度分析

SIMS分析によりH, C, N, O, Fなどを1ppm以下まで評価…

他手法では評価が難しい半導体基板中のH,C,N,Oを1ppm(約5E16atoms/cm3)以下まで、Fを1ppb(約5E13atoms/cm3)以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例（図1）とIII-V族半導体のバックグラウンドレベルを紹介します（表2）。III-V族半導体以外にも、金属膜・絶縁膜など各種材料で標準試料をとりえ揃えており、高感度な定量分析が可能です。半導体基...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

キャリアライフタイムとは、電子デバイスの動作の際に生じる過剰キャリアの内、少数キャリアが1/eになるまでの時間です。これを適切に制御することがデバイスの電気特性をコントロールする上で重要です。 一方、発光寿命とは試料からの発光強度が1/eになるまでの時間を示し、発光減衰曲線から算出可能です。少数キャリアの一部は再結合時に発光するため、発光寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SRA］広がり抵抗測定法

SRA：Spreading Resistance Analysis

す。 SRP（Spreading Resistance Profiling）とも呼ばれます。 ・ 導電型(p型/n型)の判定が可能 ・ 深さ方向のキャリア濃度分布の評価が可能 ・ 濃度約1E12～2E20 /cm3の広範囲のキャリア濃度の分析が可能 ・ 約20μｍ×100μｍ以上の大きさのパターン試料の測定が可能 ・ SRAとSIMSを組み合わせて評価を行う事で活性化率の評価が可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有機EL（OLED）の材料構造評価

1画素ごと、各層ごとに成分を同定することが可能です

今後需要が拡大する有機ELの信頼性向上のため、詳細な構造解析や状態分析、劣化原因の特定がさらに重要となります。TOF-SIMSとLC/MSを用い、層構造や材料を評価した事例をご紹介します。 TOF-SIMSにより、層構造と各層の成分情報を評価できました。TOF-SIMSで明らかになった質量Eの成分についてLC/MSおよび蛍光検出器による分析を行い、発光波長の評価と成分の構造を把握することができま...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析

薄膜の表面吸着ガス、膜中からの脱離ガスを評価可能

なかったことが分かります。 一方、試料の温度が上昇するに従い、m/z 2（H2）、m/z 18（H2O）、m/z 27（C2H3：有機物のフラグメント成分）が脱離しているのが分かります。高真空下（1E-7Pa）で分析を行うTDSは膜表面の吸着ガス成分や膜中の微量ガス成分の評価に有効です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】真空中での有機成分の脱離評価

複合解析により特定の有機成分の脱離について温度依存性評価が可能です

TDS（昇温脱離ガス分析法）は真空中（1E-7 Pa）で試料を昇温しながら脱離成分と脱離温度を確認できる手法です。さらに有機物を同定できるGC/MS（ガスクロマトグラフィー質量分析法）とTDSの結果を組み合わせて解析することで、真空中におい...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】代表的な材料・目的別のTDS解析例

TDS：昇温脱離ガス分析法

TDSは高真空中（1E-7 Pa）で試料を昇温させ、脱離したガスを検出する手法です。高真空中で試料を等速昇温するため微量な脱ガス（単原子層レベル）についても温度依存性を確認することができます。また一部の成分については脱離...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】エポキシ樹脂のTDS分析

真空中での有機物からの脱ガス挙動を調査可能です

置内外で接着剤や真空リーク対策として使用されています。しかし硬化後であっても加熱により脱ガスが発生する場合があり、製品や装置に悪影響を及ぼす可能性があります。TDS（昇温脱離ガス分析法）は高真空中（1E-7 Pa）で試料を昇温、または温度を保持しながら、脱ガス成分をモニターすることが可能です。以下にエポキシ樹脂についてTDSで温度保持を行い、脱ガスの挙動を調査した事例を示します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】TDSによるレジスト膜の脱ガス評価

TDSにより有機膜からの脱ガス成分評価、温度依存性評価が可能です

TDSは高真空中（1E-7 Pa）で試料を昇温し、試料から脱離するガスを質量分析計を用いて調査する手法です。真空装置であるため有機物の多量の脱離を嫌いますが、試料量を調整することによりTDSで評価が可能です。 レジスト...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】水素終端ウエハの脱ガス分析

最表面、単原子層の水素をTDSで評価可能です

TDSは試料を昇温し、脱離したガスをイオン化して質量分析を行う手法です。高真空中（1E-7 Pa）で、質量電荷比(m/z) 2～199について分析可能です。 今回は水素終端処理を施したSiチップについて、TDS分析を実施した例をご紹介します。TDSにて、水素終端の水素の脱離を捉える...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【遺伝子解析】細胞株の認証（STR分析）受託解析サービス

ヒト細胞株の同定や認証・同種細胞株内のクロスコンタミネーションの検出に…

当社では、細胞株の認証（STR分析）受託解析サービスを行っております。 ヒト培養細胞由来サンプルより、STR（short tandem repeat）遺伝子型を決定します。 GenePrint(R)System(10ローカス)、あるいは PowerPlex(R)16 System(16ローカス)を使用。 ヒト細胞株の同定や認証、同種細胞株内のクロスコンタミネーションの検出に ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ベックス

【分析事例】Si中不純物の超高感度測定

感度を高めてpptレベルの濃度分布を評価します

SIMS分析における検出感度は単位時間あたりの試料のスパッタ量に依存します。元素によりますが、取得する不純物を1元素に限定することで感度が大幅に向上し、5E13 atoms/cm3以下のppt (parts pertrillion)レベルまで評価することが可能となり、IGBTデバイスや高純度ウエハなどの低濃度の不純物評価に有効です。本資料ではSi中の低濃度の不純物について超高感度に評価を行った事例...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST