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PRT560 ディレイ/パルス発生器で時間差を作り、MCS8A マルチスト…
◆T560 ディレイ/パルス発生器 ・ディレイ時間とパルス幅が4チャンネル個別に指定でき、10ps刻みで最大10 秒まで設定可能 ・入出力遅延(インサーション・ディレイ):21ns ・最大トリガ・レート:16MHz ◆MCS8A マルチストップTDC/TOF ・複数のイベントタイムを記録できる8入力のデジタイザ ・STARTとSTOPの間の時間差を、80psの分解能で最大8....
メーカー・取り扱い企業: 大栄無線電機株式会社
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UN容器の選び方ガイドブック危険物輸送に関するご案内ver.5
PR危険物輸送(UN)に関する基本を身につけられるガイドブック
危険物輸送(UN)に関するガイドブック 「単一容器」や「組み合わせ容器」など、幅広く【危険物容器】をご提案させていただいております。 危険物輸送容器の選定、進め方などについて、 ガイドブックとしてご提供いたします。 ■危険物(UN)について ■4GV容器、オーダーメイドの危険物容器 ■容器選定までのフロー ■事例...危険物輸送(UN)に関するガイドブック 「単一容...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社福井洋樽製作所 東京本社
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Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
『RTP-100』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルのプロセスも可能です。 最大到達温度1200℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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Φ12対応 高速アニール加熱システム VPO-1000-300
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
『VPO-1000-300』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ12インチ・Φ6インチ・4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルの プロセスも可能。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。GaNやSiCなどの 新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、多目的に...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス(水素+窒素)パージの他、 高濃度水素ガスパージにも対応 ■上下24本のIR (赤外)ヒーターで、正確な高速加熱が可能 ■高純度石英チャンバー ■窒素ガスパージ方式による降温に対応 ■プロセスガス最大4系統(MFC) ■到達真空度10-1Pa (TMP搭載の...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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