ポータブル脳波・多点筋電計測装置「TMSi」

PRERP、運動時、睡眠時の計測に好適！バッテリ残量など、本体全面をLED…

『APEX』は、ERP、運動時、睡眠時の計測に好適な超小型24ch/32ch対応の 脳波計測装置です。 アナログ帯域はDCから350Hz。リファレンスチャンネルはカスタム可能です。 また、32ch/64chの脳波＆多点筋電対応のモバイルタイプの計測装置 「SAGA」もご用意しております。 【APEX仕様(抜粋)】 ■チャンネル数：24ch/32ch ■解像度：24bit ...

メーカー・取り扱い企業： ゼロシーセブン株式会社

【カタログ進呈！】高性能オシロスコープ　PicoScope

PR先端デバイスの開発など、優れた信号解析性能が要求されるアプリケーション…

高性能オシロスコープPicoScope 6428E-Dは、 既存のPicoScope 6000Eシリーズの性能を拡張したもの。 高エネルギー物理学、LIDAR、VISAR、分光分析、加速器、 および他の高速信号解析に取り組む科学者や研究者にとって理想的なツールです。 【特徴】 ・周波数帯域 ３ GHｚ ・最高サンプリング速度 10 GS/s ・分解能可変8－12ビット ・メモリ４GS ・アナロ...

メーカー・取り扱い企業： Pico Technology Ltd.

真球状微粒子『エポスター MAシリーズ』

優れた耐熱性・耐溶剤性！フィルム用アンチブロッキング剤や光拡散剤用途で…

.60の範囲で0.01きざみでの精密な屈折率制御が可能 ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※エポスターMAは廃番予定であり、現在開発中のエポスターMVが後継品となります。 　エポスターMVの詳細については、別途お問い合わせください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社日本触媒

水分散「コア・コロナ型微粒子」

放射状に親水性ユニットを配置した形状のコア・コロナ型徴粒子

コア・コロナ型徴粒子は、疎水性ユニットから成るコア部より放射状に親水性ユニットが配置した形状を有しています。 イオン性の異なるコロナ部を持つグレードがあり、粒子表面の親水性ユニットにより水中に分散安定化されています。 コア・コロナ型高分子微粒子をリチウムイオン2次電池負極用バインダーに用いた場合、従来のバインダーを用いた負極と比べて容量保持率が高く、より高いレート特性を示しました。 【コ...

メーカー・取り扱い企業： センカ株式会社

『ペロブスカイト型太陽電池用材料』

太陽電池の材料として活用できるMethyl Ammonium Iodi…

作製方法の簡易性、モジュールコストが安価である等の理由から 色素増感型太陽電池とペロブスカイト型太陽電池が注目されています。 この色素増感型太陽電池、ペロブスカイト型太陽電池において、 負極となる主材料の1つである二酸化チタン薄膜の作製方法の違いに よって生じる薄膜の形態、TiO2 の電子構造、表面状態などが 光―エネルギー変換効率に大きく影響しています。 当社ではこの印刷用T...

メーカー・取り扱い企業： GSアライアンス株式会社 冨士色素株式会社　内

高圧電性 高分子圧電フィルム

サンプルの提供可能！優れた圧電特性を有した高分子圧電フィルムのご紹介

装置や 特性評価装置の受託製造を行っております。 【特長】 ■既存の圧電フィルムより、優れた圧電特性 ■材質はP(VDF/TrFE)多種混合 ■残留分極は94mC/m2 ■抗電界44MV/m ■電気機械結合係数kt0.30 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イデアルスター

SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)

小さなオン抵抗！発光ダイオードの基板としても使用されています。

(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)』 のご紹介です。 シリコンに比べてバンドギャップが約3倍（3.26eV）広く、熱伝導率も 3倍以上（4.9W/cm･k）、絶縁破壊電圧は約10倍（2.8MV/cm）という特性を持ち、 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。 パワーMOSFET,IGBT，ショットキー・バリア・ダイオード（SBD）等に好適。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新陽

アクチュエーター・センサーパッケージ

高分子人工筋肉(IPMC)の実験用キットです。アクチュエータとしてのI…

IPMCに2-4Vの電圧を印加することで、IPMC内のイオンを輸送し（ポワソン・ネルンスト・プランク効果）約10-20mm先端運動します。（アクチュエーターモード）IPMCは重量約0.1mgで、先端運動時の最大の力は（片側を固定した時の阻止力）約4mgfです。IPMCは、正弦波・方形波・三角波・のこぎり波にも反応します。反対に、IPMCを機械的に曲げることで、イオンが輸送され、2-4mVの電圧を出...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ケー・ブラッシュ商会 本社

GaN(窒化ガリウム,ガリウムナイトライド)

次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。

株式会社新陽の主要製品である『GaN(窒化ガリウム,ガリウムナイトライド)』 のご紹介です。 シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍（3.42eV）広く、絶縁破壊電圧も 約10倍（3.0MV/cm）という特性を持っております。 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1600Vに達します。 また、青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生でき、各種光デバイスにも...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新陽