半導体デバイスアナライザ　1kHz～2MHz C-V特性

設計周波数は1kHz～2MHzで、VGS電圧は±40Vに達し、VDS電…

術を革新的に採用しています。生産ラインの自動統合と分類、および実験室の研究開発と分析に対応できます。 半導体デバイス C-V特性アナライザ TH510シリーズの設計周波数は1kHz～2MHzで、VGS電圧は±40Vに達し、VDS電圧は200V/1500V/3000Vに達します。 従来のダイオード、三極管、MOS チューブ、IGBT などの半導体コンポーネントの CV 特性テストと分析に対応し...

メーカー・取り扱い企業： ウェーブクレスト株式会社

熱抵抗測定器

過渡熱抵抗測定器は、IGBT / MOS-FET / Diode / …

器は、BJT過渡熱抵抗測定器と同様にゲート・エミッター間の電圧差（ΔVGE）を求める測定器です。 P-MOS FET過渡熱抵抗測定器は、BJT過渡熱抵抗測定器と同様にゲート・ソース間の電圧差（ΔVGS）を求める測定器です。 BJT過渡熱抵抗測定器のベース・エミッター間でダイオードのΔVFを測定することができます。 ...

メーカー・取り扱い企業： コペル電子株式会社