大型基板対応装置（成膜、エッチング、アニール）

PR先端パッケージへの展開□510×515mm基板への処理が可能

前工程から後工程まで、一括ラインでのご提案をさせていただきます。 （成膜、エッチング・アッシング、アニール） カスタムメイドのため、必要機能だけを盛り込んだコスト効率の良い設備のご提案を致します。 ...●成膜 生産に適切な装置構成（ロードロックタイプ、インラインタイプなど）をご提案いたします。 必要な機能に応じてカスタムアップが可能です。（加熱室、冷却室、逆スパッタ室 他） ...

メーカー・取り扱い企業： 神港精機株式会社 東京支店

第三の光加熱源！LEDアニール装置

PR加熱効率向上で省エネルギー化！高速応答性でサーマルバジェット低減を実現

『LEDアニール装置』は、ハロゲンヒータ、フラッシュランプに次ぐ 第三の光加熱源です。 加熱効率向上で省エネルギー化、高速応答性でサーマルバジェット低減を実現。 放射温度計によるリアルタイム温度計測が可能です。 また、基板表面の加熱ができ、金属材料に優れた加熱効率を発揮します。 【特長】 ■加熱効率向上 ■高速応答性 ■高精度温度計測 ■高均一性 ■基板表面の加熱が...

メーカー・取り扱い企業： ウシオ電機株式会社

【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温PL

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

Si系半導体デバイスの作製ではイオン注入やアニール処理といった様々な処理が行われます。これらの処理前後における照射欠陥の度合いや結晶性の回復度合いを確認することは、製造プロセスを制御するにあたり重要と考えられます。低温下におけるフォトルミネッセン...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】酸化ガリウムGa2O3 イオン注入ダメージ層の評価

イオン注入後のアニール条件の違いによる差異を確認

ワーデバイス材料として注目を集めています。デバイスの開発には、特性を左右する不純物濃度や結晶性の制御が重要です。本資料では、イオン注入による結晶構造の乱れから生じるダメージ層及び表面粗さの変化を、アニール条件毎に観察した結果を示します。 測定法：TEM・AFM 製品分野：酸化物半導体・パワーデバイス 分析目的：形状評価・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有機薄膜太陽電池の活性層の組成分布評価

雰囲気制御下での前処理および深さ方向分析が可能です

p型・n型材料の活性層を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。 成膜後アニール処理をすることで、開回路電圧の変化なくフィルファクターの向上に伴い光電変換効率の向上が見られた試料について、TOF-SIMS深さ方向分析を行いました。その結果、PEDOT:PSS層との界面において...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。その製造工程では、結晶欠陥の無い高品質なGaN結晶の作製が求められるため、イオン注入などによるダメージやその回復度合いの確認は重要な評価項目となっています。 本資料ではXAFSによってGaN基板へのイオン注入によるダメージを評価した事例をご紹介します。 GaN表面近傍における...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST