リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置　

PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…

ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...

メーカー・取り扱い企業： ティー・ケイ・エス株式会社

マイクロ粒子のシート化技術

PR【技術の実用化に向けて協力企業を募集中！】 導電性フィルムや、全固体…

当社で開発した「マイクロ粒子のシート化技術」についてご紹介いたします。 マイクロ粒子を熱プレスとUV硬化により、 両端を露出させた状態で樹脂膜中に単層で埋め込む技術です。 この技術により、マイクロ粒子の両端を複合膜の上下両面から露出させることができ、各種マイクロ粒子がもつ熱・電気・イオン伝導性などを損なわず、粒子本来の性能を発揮させられます。 これは粒子を複合膜に埋没させない特許技...

メーカー・取り扱い企業： 日榮新化株式会社

ナノ級 高純度 Siスラッジ精製品『Si-P-015』

短時間で100nmレベルへの粉砕が可能！リチウムイオン電池負極用シリコ…

『Si-P-015』は、シリコンウエハー切削工程から排出されるSiスラッジを、 洗浄・乾燥・粉砕・分級したリチウムイオン電池負極用のSi粉末です。 高純度シリコンウエハーの切削物であるため、元々、不純物濃度は極めて低く、 切削工程中で金属不純物の混入が有りますが、Si純度は4N以上(C/Oを除く)の水準です...

メーカー・取り扱い企業： 日本NER株式会社

LiB負極用 ナノ級 シリコン（Si）微粉末

リチウムイオン電池負極用 ナノ級 シリコン（Si）微粉末

ハイグレード金属シリコンを出発原料とする、ナノ級 Si微粉末 ...Si > 99.0% D10=0.195 μm D50=0.300 μm D90=0.566 μm ＊ビーズミル。 ＊上記は、量産品の測定結果ですが、保証値ではありません。 ＊保証スペックについては、契約にて協議・決定します。...

メーカー・取り扱い企業： 日本NER株式会社

LiB負極用 ３N高純度 シリコン（Si）微粉末

Si純度＞99.9% リチウムイオン電池負極用 シリコン（Si）微…

金属冶金法ポリシリコン（４N）以上を出発原料とする、 3N(Si>99.9%) Si微粉末 ...Si > 99.9% Fe=38.6ppm Al=27.3ppm Ca= 6.3ppm P= 5.8ppm B= 0.87ppm D10=0.757 μm D50=1.112 μm D90=1.641 μm ＊1mm程度まで粉砕後、酸洗浄。 ＊その後、ビーズ...

メーカー・取り扱い企業： 日本NER株式会社

LiB負極用 ４N超高純度 シリコン（Si）微粉末

Si純度＞99.99% リチウムイオン電池負極用 シリコン（Si）…

金属冶金法ポリシリコン（5N）以上を出発原料とする、 4N(Si>99.99%) Si微粉末 ...Si > 99.99% D10=0.387 μm D50=1.535 μm D90=8.736 μm ＊1mm程度まで粉砕後、酸洗浄。 ＊その後、ビーズミル。 ＊上記は、量産品の測定結果ですが、保証値ではありません。 ＊保証スペックについては、契約にて協議・決定しま...

メーカー・取り扱い企業： 日本NER株式会社