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小さなオン抵抗!発光ダイオードの基板としても使用されています。
コンに比べてバンドギャップが約3倍(3.26eV)広く、熱伝導率も 3倍以上(4.9W/cm・k)、絶縁破壊電圧は約10倍(2.8MV/cm)という特性を持ち、 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。 パワーMOSFET,IGBT,ショットキー・バリア・ダイオード(SBD)等に好適。 半導体の他、発光ダイオード(LED)の基板としても使用されてお...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社新陽
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次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。
のご紹介です。 シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍(3.42eV)広く、絶縁破壊電圧も 約10倍(3.0MV/cm)という特性を持っております。 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1600Vに達します。 また、青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生でき、各種光デバイスにも 使用され、SiCと共に次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。 ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社新陽
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窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギ…
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。 より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社豊港 半導体材料事業部
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