SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)

小さなオン抵抗！発光ダイオードの基板としても使用されています。

コンに比べてバンドギャップが約3倍（3.26eV）広く、熱伝導率も 3倍以上（4.9W/cm･k）、絶縁破壊電圧は約10倍（2.8MV/cm）という特性を持ち、 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。 パワーMOSFET,IGBT，ショットキー・バリア・ダイオード（SBD）等に好適。 半導体の他、発光ダイオード（LED)の基板としても使用されてお...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新陽

GaN(窒化ガリウム,ガリウムナイトライド)

次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。

のご紹介です。 シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍（3.42eV）広く、絶縁破壊電圧も 約10倍（3.0MV/cm）という特性を持っております。 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1600Vに達します。 また、青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生でき、各種光デバイスにも 使用され、SiCと共に次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新陽