【論文誌進呈中】MOSFETとIGBTの違いをご存じですか？

PR近年の電源装置はスイッチング・ロスを低減できる「MOSFET方式」の採…

キセノンアークランプ用電源の回路構成における、「MOSFET方式」についてご紹介します。 スイッチング素子にはIGBT方式が多く採用されてきましたが、 こちらは高周波化が難しく、よって簡素化が難しいとされています。 当社では、大出力・簡素化の実現且つ高速スイッチングが可能な 「MOSFET方式」のご提案が可能となっております。 小電圧の入力で大電流を生み出すことができ、 また制御回路を簡素化す...

メーカー・取り扱い企業： パワーコントロ―ル社

技術資料　遠赤外ヒーターと近赤外ヒーターの比較

直接加熱と間接加熱はその様態は同じであるが、遠赤加熱は決定的に異なって…

トロールできるので 　昇温部、キープ部で温度を変えることができ、 　幅方向の温度を変えることにより均一に加熱することができる [近赤外ヒーター] ○外部構成は石英管であり、内部にハロゲン・キセノン等の不活性ガスを 　封し、タングステン・カーボン等の発熱源を設置したものである ○フィラメント（発熱源）は1200～2000℃位の高温であり、パワーは強い ○放射波長は３μ以下であることから...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社AMK