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細幅テープトラバースワインダー&マイクロスリッター ※資料進呈中
PR1mm~10mmまでの細幅テープに対応! 電子部品や産業資材のスリット…
細幅テープトラバースワインダー(巻取機)& マイクロスリッター『FTW-50』は、キャリアテープ・ティアテープを ツバなしボビンにトラバース巻取りするワインダー/巻取機です。 トラバースユニットはACサーボモータを採用しており、 ワインディングピッチ、トラバース幅の変更に難しい調整は不要です。 細幅テープを大量に巻けるため、長尺製品を仕上げるのに適しています。 「テープはたくさ...
メーカー・取り扱い企業: フジサンキ工業株式会社
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PRAEM(アニオン交換膜)式水電解を採用。アルカリ水電解・PEM水電解の…
【AEM式水電解水素製造装置 3つの特長】 1.高圧・高純度の水素を生成 99.999%純度の水素を3.5MPaGの高圧で生成可能。電極反応はアルカリ 水電解と同じですが、腐食性の高い濃アルカリ液を使用しません。セ ル構造はPEM水電解と同様、膜電極接合体構造で高速応答性、広い運 転範囲、間欠運転を許容する等の優れた特性を持ちます。 2.貴金属不要で低コストを実現 ...
メーカー・取り扱い企業: 三國機械工業株式会社
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発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます
キャリアライフタイムとは、電子デバイスの動作の際に生じる過剰キャリアの内、少数キャリアが1/eになるまでの時間です。これを適切に制御することがデバイスの電気特性をコントロールする上で重要です。 一方、発光寿命とは試料からの発光強度が1/eになるまでの時間を示し、発光減衰曲線から算出可能です。少数キャリアの一部は再結合時に発光するため、発光寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。本資料...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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表面凹凸のあるサンプルでのキャリア拡散層の均一性評価
BSF型結晶Si太陽電池について、表面側テクスチャ部および裏面側BSF部のキャリア拡散層分布をSCMにて評価した事例を紹介いたします。テクスチャ部では表面凹凸に沿ってpn接合が形成されているのに対し、BSF部ではキャリア分布に途切れがあり不均一であることが確認できます。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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キャリア分布を二次元的に可視化
SCM/SNDMは、導電性の探針を用いて半導体表面を走査し、キャリア分布を二次元的に可視化する手 法です。 ・SCM:1015~1020cm-3, SNDM:1014~1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ・半導体の極性(p型/n型)の識別が可...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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フィールドストップ層およびライフタイムキラーのSRA評価
SRAでは、キャリアの深さ方向濃度分布を浅い領域(数100nm)から深い領域(数100μm)までの幅広いレンジで分析が可能です。また、試料表面や指定深さにおける抵抗値の面内分布評価も可能です。 一例として、市販品の...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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実装品の解体・加工から拡散層の計測までを一貫して行えます
むように、高抵抗の電流狭窄層が観察されました。また、活性層近傍では材質の異なる膜が積層しており、この組成を反映したコントラストとして計測されました。同一組成の層内にもコントラストが確認され、これはキャリア濃度差やバンドの曲りを反映していると考えられます。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ドーパントの活性化率に関する評価が可能
SRA(Spreading Resistance Analysis)はサンプルを斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です(図1)。 キャリア濃度分布を評価することで、ドーパントの活性化状況についての知見を得ることが可能です。 一例として、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部(図2)についてSRAを行った事例をご紹介し...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SRA:Spreading Resistance Analysis
針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です。 SRP(Spreading Resistance Profiling)とも呼ばれます。 ・ 導電型(p型/n型)の判定が可能 ・ 深さ方向のキャリア濃度分布の評価が可能 ・ 濃度約1E12~2E20 /cm3の広範囲のキャリア濃度の分析が可能 ・ 約20μm×100μm以上の大きさのパターン試料の測定が可能 ・ SRAとSIMSを組み合...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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故障箇所を迅速に特定
発光源としては、空間電荷領域でのキャリアの電界加速、電流集中、F-Nトンネル電流など電界加速キャリア散乱緩和発光によるもの、pn接合順方向バイアス、ラッチアップなどバンド間キャリア再結合発光によるもの、配線間ショート、配線の細りによる抵...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能
バイアスが印加された試料の表面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。 シリコン半導体素子を計測した場合、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感度があります。 ・ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能 ・半導体のドーパント濃度分布計測に有効 ・半導体の極性(p型/n型)の判定は不可 ・定量評価は...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Scanning Microwave Microscopy
SMM は、導電性プローブを用いて計測試料を走査し、その凹凸形状を観察します。同時に、マイクロ波を探針から試料に照射して、その反射応答を計測することで、特に半導体の場合にはキャリア濃度に相関した信号を得ることができる手法です。SMM 信号の強度はキャリア濃度に線形に相関するため、定量性が高いことが特徴です。 ・Si デバイスの場合、1015~1020cm-3程度のキャ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
【要旨】 近年、医薬品の副作用の軽減や有効性の向上を目指し、ドラッグデリバリーシステム(DDS:Drug Delivery System)に着目した研究・開発が進められている。DDSに用いられるキャリアとして、リポソーム、高分子ミセル、無機ナノ粒子といったバイオマテリアルやDrug Conjugates(ADC等)が挙げられる。その中でも当社はリポソームの分析・評価技術の確立に注力しており、難易...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要な結晶構造解析と、デバイス特性への影響が大きいイオン注入プロセスにおける不純物、欠陥、キャリア濃度解析を行った事例を紹介する。 【目次】 1.はじめに 2.断面TEM、平面STEMによる結晶構造解析 3 イオン注入プロセス評価 4.まとめ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター
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試料内部の電界構造(半導体の接合構造)に関する情報を得ることができる手…
SEM装置内で電子線を照射することで、試料内で正孔電子対が発生します。 通常は再結合して消滅しますが、空乏層など内部電界を有する領域で正孔電子対が生じた場合はキャリアが内部電界でドリフトされることで起電流として外部に取り出すことができます。 この起電流をEBIC(Electron Beam Induced Current)と呼び、SEM像と併せて取得すること...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM(走査 型非線形誘電率顕微鏡)にてキャリア極性判定をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)にてキャリア濃度分布を評価した事例をご紹介します。 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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太陽電池セルの欠陥の位置を非破壊で特定することができます
太陽電池に禁制帯幅以上のエネルギーの光を照射するとキャリアが生成し、一部は発光性再結合をします。その際の発光をフォトルミネッセンス(PL)と呼びます。しかし、欠陥が存在する箇所では、キャリアが捕捉されPL強度が弱くなります。このことから、PLマッピング測...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SRA:広がり抵抗測定法
*)を作成し、それを用いて抵抗を比抵抗(Ω・cm)に換算するまた、必要に応じて体積補正による分布の補正を行う *)校正曲線は導電型(p型/n型)、および面方位によって異なります 3. 比抵抗とキャリア濃度の関係式*)を用いてキャリア濃度(/cm3) を算出する...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ライフタイム制御サンプルのキャリア濃度分析事例紹介
パワー半導体デバイスでは、ライフタイム制御のために、Si基板内に結晶欠陥を形成することがあります。ライフタイム制御領域の作成に用いられる元素の一つである水素イオンの熱処理条件の違いによるキャリア濃度分布を評価した事例を示します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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IT人材の実務能力「スキル熟達度」を客観テストですばやく確認!
経済産業省が策定した「ITスキル標準V1(ITSSV1)」および「ITスキル標準V2 2006(ITSSV2 2006)」および「ITスキル標準V3 2008(ITSSV3 2008)」のキャリアフレームワーク(ITSSV2 2006)に合わせて、実務能力、テクニカルスキルを客観的にインターネット上で、24時間どこでも診断することができる、オンライン型テストです。...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社ネクストエデュケーションシンク
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技術情報誌 202102-03 XAFSによる半導体中の状態評価
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
【要旨】 半導体へのドーパント添加は、電気特性を制御する上で非常に重要な技術であり、添加によるキャリア発生のメカニズムは固体物理の理論に基づいて理解されているが、ドーパント元素における直接的な化学状態や配位環境の評価事例は少ない。元素ごとの状態評価は、XAFSにより可能であるが、近年の検出器の感度...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター
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ETSI EN 303 645 IoT製品向けセキュリティ検証
製品(IoT/NW機器)をEUで販売するにおいて求められる、ETSI …
す。しかしながら、海外ラボでの検証となる為費用を抑えて行って頂けます。 ※基本、英語版での準拠確認の為英語レポート提出となりますが、日本語版レポートも対応可能でございます 既に、欧米の通信キャリア様の案件や、弊社が提出したレポートがNCSC(National Cyber Security Center - 英国政府機関)、FTC(Federal Trade Commission - 米国連...
メーカー・取り扱い企業: ONWARD SECURITY JAPAN株式会社
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ppb~pptレベルのバルク濃度を評価します
変電所などで使用可能な超高耐圧・低損失SiCパワーデバイスの開発においては低キャリア濃度の制御が必要となり、SIMS分析で極低濃度の不純物評価を行うことが有効です。 SIMS分析では多元素を同時に取得せず、不純物を1元素に限定することで極低濃度を評価することが可能です。本資料で...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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≪鋳造部品のガス量・成分分析≫ ダイカスト品の鋳造欠陥対策に!
アルミ鋳造品のガス量測定・成分分析により、鋳造欠陥の原因を特定する指標…
のガス量測定・成分分析を行っております。 遠方からのご依頼も受け付けております。 お客様のご要望に合わせて、ガス量測定・成分分析の報告書及び考察を作成いたします。大手鋳造メーカーで20年以上のキャリアを持つ人材が経験と知識を活かして作成する考察はきっとお客様のお役に立つはずです。 ...
メーカー・取り扱い企業: 橋本エンジニアリング株式会社
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製品(IoT機器/NW機器等)のブラックボックステスト受託サービス
本語で一貫して対応いたします。しかしながら、海外ラボでの検証となる為費用を抑えて行って頂けます。 ※一部、製品仕様のドキュメントを英語でのご提供などの可能性がございます。 既に、欧米の通信キャリア様の案件や、弊社が提出したレポートがNCSC(National Cyber Security Center - 英国政府機関)、FTC(Federal Trade Commission - 米国連...
メーカー・取り扱い企業: ONWARD SECURITY JAPAN株式会社
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太陽電池(PV)の組成評価や同定・膜圧評価・形状評価・結晶構造評価など…
電池の活性層の組成分布評価 →雰囲気制御下での前処理および深さ方向分析が可能 →測定法:TOF-SIMS・雰囲気制御下での処理 ○結晶Si太陽電池の拡散層評価 →ドーパントの定量評価およびキャリアの分布評価 →測定法:SIMS・SCM・研磨・解体 ○CIGS薄膜の組成分布分析 →薄膜の組成定量、面内分布、深さ方向分布の評価が可能 →測定法:SIMS・ICP-MS・XRF・エッチング...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】パワーデバイスのドーパント及びキャリア濃度分布の評価
複合解析で活性化率に関する評価が可能
SIMSによる不純物濃度分布とSRAによるキャリア濃度分布を比較することで、ドーパントの活性化状態がわかるだけでなく、整合しない領域には未知の不純物の存在、構造的な問題の内在が示唆されます。 Profile Viewerを用いれば、お手元でSI...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価
SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)で評価し、キャリア濃度分布をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されていることが分かり、ゲート直下には...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ドーパントの定量評価およびキャリアの分布評価
裏面電極型結晶Si太陽電池(バックコンタクト型Si太陽電池)において、電極直下のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。また、キャリアの分布評価を行うことで、p/nの極性判定や空乏層を断面方向から可視化することが可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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真空下での走査型広がり抵抗顕微鏡(SSRM)による局所抵抗分布評価
することで、測定表面の吸着水を除去し、高空間分解能を得ることができます。測定結果から、ナノメートルレベルの空間分解能で各層の抵抗値を計測できていることが分かります。各層の抵抗値が数桁異なり、これがキャリア濃度の違いを示しています。CIGS層はi-ZnO層よりも高抵抗であること、CdSはこれらの層よりもさらに高抵抗であることが分かりました。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析
SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます
SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。 本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができます。 本資料では、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SCM分析を行った結果をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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IGZO膜中Hについて、高感度で深さ方向分布の評価が可能
IGZO膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。IGZO膜中のH濃度に応じてキャリア濃度が変化して電気特性が変動するため、IGZO膜を用いたデバイス特性および信頼性評価には膜中のH濃度を精度良く測定する必要があります。 SIMSを用いて加熱条件の異なるIGZO膜中のH濃度を評価...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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