SiCパワー半導体『SiC-SBDシリーズ』

シリコン製からの置換えに！高温でも高速スイッチングを維持し、電力損失を…

『SiC-SBDシリーズ』は、SiC（シリコンカーバイド）を材料に用いたショットキーバリアダイオードです。低抵抗かつ高速スイッチングに対応し、スイッチング損失を低減できます。また高温でも安定的に動作でき、電源機器の小型化が図れます。PFC回路・モ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オリナス 東京営業所、名古屋営業所、京都営業所、大阪営業所、香港

イオンクロマトグラフを使ったリチウムイオン電池の負極材の分析

リチウム電池の負極材は電池の性能を決める重要な要素！グラファイト中の応…

ファイトから 天然グラファイトまで使われるようになりました。 多くの場面で用いられる人工グラファイトには、ソフトカーボン/ハードカーボン、 アモルファスカーボン、チタン酸リチウム、シリコンカーバイド合金など様々な 活物質が混在していますが、この中でもグラファイトの使用が一般的です。 【掲載内容】 ■使用する分析機器 ■分析条件 ■分析結果のイオンクロマトグラム ■サンプ...

メーカー・取り扱い企業： 科健化学株式会社 Science and Health with Chemistry CO., LTD.

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3　半導体ウェハ用

表面特性の分析を直接評価。表面特性の解明と改良、及び新しい材料開発に貢…

【測定対象】 半導体ウェハ (シリコンウェハ、ガリウム砒素 (GaAs) ウェハ、ガリウム燐 (GaP) ウェハ 、窒化ガリウム (GaN) ウェハ、シリコンカーバイド (SiC) ウェハ、サファイアウェハ、化合物半導体ウェハ、SAWウェハ) 【測定サンプルの規格】 サンプルサイズ ：最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アントンパール・ジャパン