【総合カタログ無料進呈】電子部品、接合・光学材料を多数紹介！

PRデバイスの薄型化やリチウムイオン電池バッテリーの過充電・架電流遮断に貢…

当カタログでは、独自の技術を融合し、機能性材料を開発、提供し続けてきたデクセリアルズが取り扱う製品を紹介しています。 TV、サイネージ用モニターなどのディスプレイパネルと部品・回路基板の接続に使用される「接合関連材料」や、ノートPCやタブレットPCなどのモバイルデバイスに使用される「光学関連材料」、リチウムイオン電池の二次保護に使用される「電子部品関連材料」などの製品が掲載されています。 ...

メーカー・取り扱い企業： デクセリアルズ株式会社

インパルスノイズ試験器 INS-S100

PR電源ラインからの侵入や通信線などへの誘導ノイズによる電子機器の性能評価…

インパルスノイズ試験器はスイッチングデバイスの接点間の放電、電子モーターから発生するアーク放電などによる立ち上がりの早い高周波ノイズを模擬的に発生させ、電子機器の耐性を評価する試験器です。 インパルスノイズ試験器INS-S100は、50Vからのパルス出力が可能で、製品開発時の回路基板や弱電部品などのノイズ耐性評価が手軽に行えるほか、市場での不具合発生時の解析などにも活用できます。 ○ ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ノイズ研究所（NoiseKen）

非破壊分析サービス　2018年4月より開始のお知らせ

樹脂やカーボン素材等、有機系の分析に強い装置を揃えました。

2018年4月2日、MSTは最新型の加工・分析装置を導入し非破壊分析サービスを開始します。電子デバイス・医薬品・食品の製品開発・品質管理など幅広い分野を対象に分析サービスを提供します。 非破壊分析は、製品を破壊することなく内部の状態を可視化する技術です。 MSTはこれまで電子顕微鏡観察・質...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査

超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例

パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、S...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】トランジスタ内部の状態評価

デバイス内部の異常を非破壊で評価します

外観検査では分からないデバイス等の故障原因を調査するために、X線CTをはじめとする非破壊による評価が必要となる場合があります。 X線CTを用いて不具合のあったトランジスタを測定し、内部の状態を確認しました。 その結果、ワイ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST