【シロキサンフリー】半導体チップ搬送ケース『ゲルベースVタイプ』

PR半導体チップや精密デバイスなどを振動から守り 安全に保管・搬送！シロキ…

ゲルベースは半導体チップや精密デバイスなど細かな部品の工場内、工程内搬送、海外搬送用として使用できます。 搬送時は振動から精密部品を守り、また半導体等部品のデバイス固定用としても大活躍。 粘着材不使用・シロキサンフリーで安心してご使用いただけます。 搬送時は部品をしっかり固定し、真空装置で真空引きすることで簡単にピックアップできます。 【特長】 ■精密部品を搬送時の振動などから守り、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エクシール 本社

【蓄電デバイス】1冊で分かる電気二重層キャパシタとは？

PR2000Vまで連結可能な高耐圧の電気二重層キャパシタ。電力・発電・大型…

蓄電デバイスとは、蓄電池やキャパシタなどの電力を貯蔵して 一定期間後に放出することができる装置やシステムを指します。 本資料は電気二重層キャパシタを解説した基礎知識集で、 電気二重層キャパシタの効果と原理をはじめ、電池等蓄電デバイスとの比較、 また大容量キャパシタの応用分野も掲載しております。 1冊で今さら聞けない、キャパシタの基礎が分かる資料ですのでぜひ一度ご連絡下さい。 【...

メーカー・取り扱い企業： アイオクサスジャパン株式会社 (旧社名 株式会社パワーシステム)

非破壊分析サービス　2018年4月より開始のお知らせ

樹脂やカーボン素材等、有機系の分析に強い装置を揃えました。

2018年4月2日、MSTは最新型の加工・分析装置を導入し非破壊分析サービスを開始します。電子デバイス・医薬品・食品の製品開発・品質管理など幅広い分野を対象に分析サービスを提供します。 非破壊分析は、製品を破壊することなく内部の状態を可視化する技術です。 MSTはこれまで電子顕微鏡観察・質...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査

超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例

パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、S...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】トランジスタ内部の状態評価

デバイス内部の異常を非破壊で評価します

外観検査では分からないデバイス等の故障原因を調査するために、X線CTをはじめとする非破壊による評価が必要となる場合があります。 X線CTを用いて不具合のあったトランジスタを測定し、内部の状態を確認しました。 その結果、ワイ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST