インパルスノイズ試験器 INS-S100

PR電源ラインからの侵入や通信線などへの誘導ノイズによる電子機器の性能評価…

インパルスノイズ試験器はスイッチングデバイスの接点間の放電、電子モーターから発生するアーク放電などによる立ち上がりの早い高周波ノイズを模擬的に発生させ、電子機器の耐性を評価する試験器です。 インパルスノイズ試験器INS-S100は、50Vからのパルス出力が可能で、製品開発時の回路基板や弱電部品などのノイズ耐性評価が手軽に行えるほか、市場での不具合発生時の解析などにも活用できます。 ○ ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ノイズ研究所（NoiseKen）

【シロキサンフリー】半導体チップ搬送ケース『ゲルベースVタイプ』

PR半導体チップや精密デバイスなどを振動から守り 安全に保管・搬送！シロキ…

★電子機器トータルソリューション展に出展します★ JPCA Show 2024 2024/4/24(水)～26(金) 10:00-17:00 パシフィコ横浜　展示ホール 小間番号：6H-10 ゲルベースは半導体チップや精密デバイスなど細かな部品の工場内、工程内搬送、海外搬送用として使用できます。 搬送時は振動から精密部品を守り、また半導体等部品のデバイス固定用としても大活躍。 粘...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エクシール 本社

【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST