• 各種多芯型ハーメチックシール 製品画像

    各種多芯型ハーメチックシール

    PR厳しい気密・絶縁性が求められる用途に好適!試作から量産まで幅広くサポー…

    『各種多芯型ハーメチックシール』は、金属とガラスで製作する 気密・絶縁性に優れたターミナル(端子)です。 気密性は1×10-9Pa・m3/s以下、 絶縁抵抗はDC500Vで1000MΩ以上に対応! 封着・ロウ付け・鍍金加工・溶接加工のほか、 試作から量産まで用途や目的に合わせた製作が行えるのも特長です。 ◎詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。.....

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社フジ電科

  • SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析 製品画像

    SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析

    SEM像の3D化でリークパスを確認

    裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについて、Slice&Viewによる断面SEM観察を行いました。Slice&Viewでは、リーク箇所周辺から数十nmオーダーのピッチで断面観察を行うことにより、リーク箇所を逃さず画像として捉える...

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    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析 製品画像

    【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

    Slice&Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可…

    裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice&Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる...

    • img_C0711_2.jpg

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価 製品画像

    【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

    製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

    GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層(2DEG)が得られ、電子移動度が高くなります。...

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    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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