各種多芯型ハーメチックシール

PR厳しい気密・絶縁性が求められる用途に好適！試作から量産まで幅広くサポー…

『各種多芯型ハーメチックシール』は、金属とガラスで製作する 気密・絶縁性に優れたターミナル（端子）です。 気密性は1×10－9Pa・m3/s以下、 絶縁抵抗はDC500Vで1000MΩ以上に対応！ 封着・ロウ付け・鍍金加工・溶接加工のほか、 試作から量産まで用途や目的に合わせた製作が行えるのも特長です。 ◎詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。.....

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジ電科

【メモリ】SRAM　ラインアップ一覧

データは半導体メモリに保持され、メモリに電力が供給されている限り、デー…

『SRAM』は、各ビットを格納するために双安定ラッチ回路を使用する 半導体メモリの一種で、高速又は低消費電力を必要とする場合に使用されます。 トランジスタにはリークを抑えるための電力が不要なため、 定期的に更新する必要がありません。 SRAMの設計には、6つのトランジスタ(6Tメモリセル) で構成され、 コンデンサを使用しない一般的なC...

メーカー・取り扱い企業： アールエスコンポーネンツ株式会社

半導体・電子部品販売　【調達困難品】

”　他社で断られた部品もお探します　”　

プロセッサー：CPU・MPU・GPU・MCU 　　・ロジック：ローエンドPLD レガシー(旧世代)半導体 　　・アナログ：汎用Analog 　　・パワー：パワートランジスタ・サイリスタ 　　・イメージセンサー：CMOS 　　・オプティカル：レーザーダイオード・LED 電子部品 　　・受動部品：抵抗・インダクタ・コンデンサ・トランス・水晶振動子 　　...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社IDK 特殊機器事業部

【メモリ】フラッシュメモリ　ラインアップ一覧

トランジスタ間に微量の電気を保持！電力が供給されているかどうかに関係な…

『フラッシュメモリ』は、データ記録を行う不揮発性メモリです。 EEPROM(電気的消去可能読み取り専用メモリ)の一種で、ブロック単位 でまとめて操作。フラッシュメモリ寿命は、通常1千～1万回程度の 書き込みと消去です。 書き込みサイクル数は限られており、変更頻度の低い ストレージに使用される傾向があります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 6...

メーカー・取り扱い企業： アールエスコンポーネンツ株式会社

【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

MTP不揮発メモリIPコア『TwinBit』

複雑なメモリセル構成不要！少ない製造コストで高性能の不揮発メモリを提供…

■対応プロセス：標準ロジックプロセス（マスク追加無し） ■プロセス世代：0.18um から16nm ■書き換え回数：10万回 ■メモリ容量：64bから2MByte ■メモリセル構成：2トランジスタ/セル ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社NSCore