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    【医薬プラント向け】デッドスペース対策専用バルブ

    PR「コンタミネーション対策」にお困りではありませんか?液溜りを排除し、洗…

    ■NDV デッドスペース対策製品とは バルブ本体構造を、デッドスペース(ポケット部や液溜り等)が無く、コンパクトに設計した製品です。医薬・食品・バイオプロセスなどにおける「コンタミネーション対策」としてお使いいただけます。 【こんなお困りごとはありませんか?】 ☑ 流体通過時やバルブを閉める際に、流体がバルブ内部の隙間に浸入してしまう… ☑ 配管デッドレグが大きく液溜りや蒸気滅菌効果などの問題...

    メーカー・取り扱い企業: 日本ダイヤバルブ株式会社 本社 業務・開発部

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    人協働ロボット搭載AGV

    PR理想の1台が手に入る!人協働ロボットで進化したラボ・オートメーションを…

    「人協働ロボット搭載AGV」は、人協働ロボット「MOTOMAN-HC10 (可搬重量10kg)」を搭載し、試験に必要な資材の運搬を行います。 各試験ロボットセルを繋ぎ、進化したラボ・オートメーションを実現。 カスタマイズに完全対応しており、牽引型、特殊車体も検討が可能です。 また、自由なレイアウトを可能にする非接触充電システムを搭載しております。 【特長】 ■停止制度:公称...

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    メーカー・取り扱い企業: 田辺工業株式会社

  • レポート アプリケーションプロセッサのロジック詳細構造解析 製品画像

    レポート アプリケーションプロセッサのロジック詳細構造解析

    Mediatek MT6592 オクタコア(8コア)の詳細構造解析です…

    のチャネルの結晶方向 <110> ○酸化ハフニウム(HfO2)素材のゲート絶縁膜 ○デュアルワーク ファンクション メタルゲート ○nMOS(NiSi)およびpMOS(NiSiGe)ソース/ドレイン領域、およびlow-k層間絶縁膜 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • レポート Intel 22nm Haswell eDRAM 製品画像

    レポート Intel 22nm Haswell eDRAM

    Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです

    高のパフォーマンスを持つバージョンはGT3eです。 【特徴】 ■GT3e:メタル9層、22nm TriGate トランジスタテクノロジで埋込型DRAMも構成されている ■シリコンソース・ドレインがNMOSトランジスタに使われ、SiGe が PMOS トランジスタに使われている 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

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    短絡耐量評価・解析レポート

    短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにします!

    【評価結果の重要性と使用法】 ■短絡保護回路の最小応答時間を推測することができる ■測定された短絡ドレイン電流波形と耐久時間(tsc,f)をSPICE電気・熱シミュレーションで使用し、  トランジスタの内部温度を推定することが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック

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