• 【Medtec出展】新しい骨再生材料 OCP 誕生  製品画像

    【Medtec出展】新しい骨再生材料 OCP 誕生

    PR現行材料より骨再生能に優れ、高い生体吸収性を特長とする骨再生材料【OC…

    当社は東北大学大学院歯学研究科 鈴木治教授との長年にわたる共同研究により、独自に開発した連続式晶析装置(連続フロー合成法)を用いて、安定して均一なOCPを量産化することに成功しました。 ・OCPは骨形成に重要な無機バイオミネラルであるヒドロキシアパタイトの前駆体と言われており、世界的に注目される新しい骨再生材料です。 ・年間20kg(実績値)のOCPの商業生産が可能となりました。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 日本ファインセラミックス株式会社

  • ゴム通加工ガイド「これさえあれば、ゴムの素材を好きな形にできる」 製品画像

    ゴム通加工ガイド「これさえあれば、ゴムの素材を好きな形にできる」

    PRゴムを好きな形にする方法を徹底解説!ゴムの素材を購入してもそのままでは…

    ゴム通加工ガイド「これさえあれば、ゴムの素材を好きな形にできる」は、ゴム素材を加工することによって好きな形にする方法を解説したガイドブックです。 「ご自分でできる加工」と「プロの加工」の違いをイラストを交えながらわかりやすく解説。ゴムの素材を「切る」「削る」「穴をあける」だけでなく、「接着して形にする方法」「加工実例」も掲載しています。 また「ゴムの素材の選び方」「『ゴム通』にプロの加...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社扶桑ゴム産業 ゴム通グループ

  • [TEM ED-Map]TEM電子回折マッピング法 製品画像

    [TEM ED-Map]TEM電子回折マッピング法

    TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。

    電子線プローブを走査しながら各点の電子回折パターンを測定することで、高空間分解能な結晶情報を取得できます。この手法では、SEMのEBSD法よりも小さい結晶粒の情報を得ることが可能です。ACOM(Automated Crystal Orientat...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    [ED]電子回折法

    EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を…

    EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を調べる手法です。 ・物質の結晶学的情報が得られます。 透過電子顕微鏡の場合、単結晶では規則正しく並んだ回折斑点(スポット)、多結晶では同心円状の円環、非晶質ではブロードな円環...

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    [FIB]集束イオンビーム加工

    FIBは、数nm~数百nm径に集束したイオンビームのことで試料表面を走…

    ・微小領域(数nm~数十μm)のエッチングによる任意形状加工が可能 (通常加工サイズ:~20μm程度) ・SEM・SEM-STEM・TEM像観察用試料作製(特定箇所の断面出しが可能) ・微細パターン(数μm~数十μm)のデポジション薄膜形成が可能(C・W・Ptの成膜) ・高分解能(加速電圧30kV:4nm)でのSIM(Scanning Ion Microscope)像観察が可能 ・SIM...

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    ロックイン発熱解析法

    ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します

    デバイスの内部で発生する熱を検出し、故障箇所を特定する半導体故障解析装置となります。高感度赤外検出器にて検出した発熱画像と、IRコンフォーカルレーザ顕微鏡で取得した高解像度なパターン画像を重ね合わせて表示することにより、高感度かつ高い位置精度で故障箇所を迅速に特定します。...

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  • 【分析事例】化合物へテロ接合界面歪の可視化 製品画像

    【分析事例】化合物へテロ接合界面歪の可視化

    FFTM法による格子像解析

    Fast Fourier Transform Mapping法は、高分解能TEM像をフーリエ変換し、FFTパターンのスポット位置から結晶の微小な格子歪みを解析、可視化する方法です。FFTM解析により、(1)画像のx, y方向の格子歪みの解析、(2)結晶面方向の格子歪みの解析、(3)結晶面間隔分布、結晶面方位分...

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  • 【分析事例】バンプの広域断面観察 製品画像

    【分析事例】バンプの広域断面観察

    イオンポリッシュによる断面作製で微小特定箇所の広域観察が可能です

    ていた加工ダメージ(界面の剥離・硬さの違いによる段差・研磨による傷など)が少ない断面の作製が可能です。加工位置精度も向上し、微小部位を含む広域断面作製も可能です。結晶の損傷が少ないため、綺麗な結晶パターンが得られます。また、機械的応力の影響がないため、内部構造を忠実に保存したまま、AES分析・SEM観察・EDX分析などにより、詳細に特定部位の断面構造を評価できます。...

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  • 【分析事例】フッ素系潤滑剤・高分子の同定 製品画像

    【分析事例】フッ素系潤滑剤・高分子の同定

    汚染成分を同定し、汚染発生工程を推定

    を調べることが可能となります。そこで、表面敏感なTOF-SIMSを用いて水はじきのよい場所に何が付着しているか分析を行いました。 各工程で使用しているフッ素系のオイルは、種類によってフラグメントパターンが異なることを利用し、指紋照合を行ったところ、工程Bのオイルに相当する物質が付着していることがわかりました。...

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  • AI×機器分析による異常評価事例 製品画像

    AI×機器分析による異常評価事例

    AIの異常検知精度/処理能力を活かし、異常の本質を科学的に究明します。

    異常検知は、大量のデータの中から他のパターンとは一致しないデータを見つける技術です。 製品開発や製造に異常検知を取り入れることで、品質管理などの省力化が期待されます。 さらに、機器分析を行うことで、異常の本質を科学的に究明することができ...

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    【分析事例】素子分離領域の歪解析

    NBD:Nano Beam Diffractionによる微小領域の歪解…

    NBD法では電子線が試料中で回折する角度(電子回折スポット位置)の変化から、格子歪に関する知見を得ることができます。任意の晶帯軸入射方向で、デバイスパターンに合わせた測定が可能です。 素子分離領域(LOCOS周辺)のSi基板について測定した結果、熱処理温度・結晶方向によって歪量が異なっていることが確認できました。...

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    [FT-IR]フーリエ変換赤外分光法

    数十μm角程度の領域の測定が可能

    いますので、スペクトルを解析することで分子構造に関する知見を得ることができます。 ■FT-IRとは FT-IRは波長を変化させて試料に赤外線を照射するのではなく、連続光を試料に照射し、干渉パターンをフーリエ変換することで分子構造に応じた吸収スペクトルを取得し、物質中の原子団(基)の情報を得る手法です。 連続光による全波数域の入射光を同時に測定できることから、短時間で高感度の測定が可能です...

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  • [XRD]X線回折法 製品画像

    [XRD]X線回折法

    XRDは、回折パターンから試料の結晶構造情報を得る手法です。

    ・結晶性物質の同定が可能 ・結晶子サイズの評価 (数nm~100nm)が可能 ・結晶化度の評価が可能 ・配向性の評価が可能 ・歪み量・応力の評価が可能 ・非破壊で分析が可能 保有装置の特徴 ・室温~1100℃までの加熱分析が可能 ・ビーム径100μmまでの微小部測定が可能 ・N2、He、Ar、真空での雰囲気制御が可能 ...XRDの評価対象である『結晶』とは、物質を構成する...

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  • [SRA]広がり抵抗測定法 製品画像

    [SRA]広がり抵抗測定法

    SRA:Spreading Resistance Analysis

    電型(p型/n型)の判定が可能 ・ 深さ方向のキャリア濃度分布の評価が可能 ・ 濃度約1E12~2E20 /cm3の広範囲のキャリア濃度の分析が可能 ・ 約20μm×100μm以上の大きさのパターン試料の測定が可能 ・ SRAとSIMSを組み合わせて評価を行う事で活性化率の評価が可能...

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  • 【分析事例】クロスハッチパターンの形状観察 製品画像

    【分析事例】クロスハッチパターンの形状観察

    高い垂直方向分解能で小さな凹凸を可視化可能

    は、試料の表面形状を「高い垂直(Z)分解能(0.1nm)と広い(X-Y)測定視野(50μm~4.2mm)」で、高精度に非接触3次元測定を行うことが可能です。Si/SiGe積層試料表面(クロスハッチパターン)の形状観察の事例を紹介します。 平均粗さ(Ra)~1nmの形状評価可能です。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiCSchottkydiode中Alの深さ方向分析 製品画像

    【分析事例】SiCSchottkydiode中Alの深さ方向分析

    イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能です

    市販のSiC Schottky diodeを解体し、素子パターンを含む40um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAlの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAlの...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiCパワーMOS FET中ドーパント評価 製品画像

    【分析事例】SiCパワーMOS FET中ドーパント評価

    イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能

    市販のSiCパワーMOS FETを解体し、素子パターンを含む20um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAl,N,Pの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在す...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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