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水素を選択的に吸着することで、水素による問題を解決します!
PdまたはPtをゲート材料とし、ガリウムヒ素(GaAs)ディスクリートFETを含む密閉した封止パッケージにおいて、水素による劣化はよく知られている現象です。 ゲートの貴金属がH2分子をH2原子へと変え、半導体材料の中に拡散し、電流と装置のゲインの減少を引き起こします。 サエス・グループの水素除去フィルム、Rel-Hyは、最先端のゲッター・ソリューションです。水素による問題に苦しむマイクロ電...
メーカー・取り扱い企業: サエス・ゲッターズ・エス・ピー・エー 日本支店
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