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20件 - メーカー・取り扱い企業
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PR立型マシニング加工や内外径偏心加工、黒アルマイト処理などを行った製作事…
当資料では、株式会社ジーエスピーが手掛けた加工事例を ご紹介しております。 ボディをはじめ、吸着テーブルや枠受フレームといった 部品の製作事例を多数掲載。 サイズや主要材質、加工内容についても記載しております。 是非、ご一読ください。 【掲載内容(一部)】 ■製作事例 ・ボディ ・吸着テーブル ・枠受フレーム ・テーブル ・ブラケット ※詳しくはPDF資料...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社ジーエスピー
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PR様々なものを1つに集約!自動着脱により生産性が向上した事例などをご紹介
当社は、用途に合わせて自由に組合せが可能で、複数のモジュールを 1つに集約することができる「コンビタック」という複合コネクタを取り扱っています。 本資料では、当製品の3つの特長や導入メリット、接続作業を自動化して 生産性がアップした、実際の導入事例などをご紹介しております。 「作業時間を短縮したい」などお悩みの方におすすめです。 【掲載内容】 ■コンビタックとは ■コンビタックの3つの特長と導...
メーカー・取り扱い企業: 丸紅エレネクスト株式会社 (旧社名:株式会社ソルトン)
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ppmオーダーの微量金属も評価可能です
って評価可能ですが、価数・化学結合状態などといった存在状態の評価には放射光を用いたXAFS(X線吸収微細構造)測定が有効です。本資料では測定例としてセラミックス材料に微量含まれるCeの価数を評価した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析
シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です
結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例としてCu表面をSIMによって観察した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例
パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観察しました。その結果、複数箇所にて1mm~20mm程度の複数の空隙があることを確認しました。本手法によって、貼り合わせウエハ内部の密着性評価が可能となります。...詳しいデータはカタログをご...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析
像シミュレーションを併用した結晶形の評価
正確な理解に役立ちます。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石中の結晶粒について、EBSD法で得た結晶方位の情報からSTEM像をシミュレーションし、実際の高分解能HAADF-STEM像と比較した事例を紹介します。 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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純水やウエハ洗浄液等、様々な溶液の高感度分析が可能です
、溶液の種類も純水・酸・アルカリ等、各種対応でき、分析する金属元素の濃度領域はpptオーダーから主成分レベルまで幅広く対応することが可能です。本資料では市販されている各溶液に含まれる金属量を調査した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在
ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能
β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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GC/MS:ガスクロマトグラフィー質量分析法
半導体や液晶などの製造が行われているクリーンルームでは、パーティクルだけでなく分子レベルの化学汚染(分子状汚染)を把握することが重要です。浮遊分子状汚染物質としては酸・塩基性ガスや凝集性有機物質、ドーパント、金属などが挙げられ、成分に応じて分析方法は異なります。 ここでは凝集性有機物質の詳細と、代表的な捕集方法である“吸着剤捕集”と“ウエハ暴露捕集”について紹介します。...詳しいデータはカタロ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます
TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。 単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出強度は低下し、再昇温時に脱ガスピークが確認されました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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試料断面における応力分布を確認することが可能です
単結晶Siのラマンスペクトルのピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。 IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の断面について、ラマンマッピングで応力の分布を確認した例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング
代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice&Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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AFM :原子間力顕微鏡法
AFMは微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 金属・半導体・酸化物などの材料評価だけでなく、毛髪やコンタクトレンズなどのソフトマテリアルまで幅広い材料を測定可能です。 本資料では、様々な材質のAFM像をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価
ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察
造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析(破壊分析)をご提案します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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熱分解GC/MS法によりグラフェンの官能基の評価が可能
センサー等、幅広い分野への応用が期待されています。また製法によって表面に存在する官能基の種類や量が異なると言われており、その構造を明らかにすることは性能向上を図る上で重要なポイントとなります。 本事例では熱分解GC/MS法により、2種のグラフェンの官能基を比較した事例を紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます(拡散層構造の高感度評価)
度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SNDM分析を行った事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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