中～大流量タイプ 深紫外線LED水除菌装置 DWM series

PRノーベル賞受賞者と共同開発した深紫外線LEDを搭載。寿命35,000時…

DWM seriesは本体内部に水を取り込み、内部を通過する水に深紫外線を照射して、水中の細菌・ウイルスを除去します。日機装が提供する各種水除菌製品群の中でも、最大で200L/minの処理が可能な中～大流量タイプです。 水銀は水俣条約により、国際的な規制が始まっています。昨今ではSDGs・ESGへの取り組みがより重要になっており、水銀ランプ装置から深紫外線LED装置への置き換えが増えています...

メーカー・取り扱い企業： 日機装株式会社 メディカル事業本部 ヘルスケア事業推進部

無料進呈★最新版★ねじの困りごと解決事例集-Rev10-

PRネジで一度でも困ったことがある方は是非ご一読ください！そのお悩み解決致…

ねじに関するお悩みはございませんか？ 1. 高性能なボルトは調達性が悪い 　弊社では多様な高性能ボルトの在庫販売をしています。 2. 熱や錆びに強いボルトがほしい 　耐熱・耐食性に優れたボルト・メッキも取り扱いございます。 他にも… ■腐食環境だけど強度を落とせない ■潤滑油を付けずに焼付き防止をしたい　など 当資料では、お客様より寄せられたお悩みの声と解決への提案・解決事例や...

メーカー・取り扱い企業： 由良産商株式会社　特販部　特販課

【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM（原子間力顕微鏡）を用い...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST