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耐圧性・耐薬品性を兼ね備える!カートリッジ フィルターチャンバー
PR上限圧力3.5barの高耐久性を保持!耐薬品性にも優れ、ヒンジ付きカバ…
『カートリッジ フィルターチャンバー』は、電解液やその他の ウェットケミカル処理溶液のろ過用に設計および製造されている製品です。 堅牢で信頼性の高いスマート構造と、圧力損失を最小限に抑えるために 強化された流体力学設計の組み合わせ。 上限圧力3.5bar(オプションで5.5bar)とスチール製の製品と同等の耐圧性と 優れた耐薬品性を保持しています。 これにより、最大級の設置後のアップタイムと...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社河口・サポート 名古屋事務所
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PR水、油、有機洗剤、酸、アルカリ水溶液、メッキ液、スラリー等適用可「重力…
『チビット』は、「滴らす」「飛ばす」「噴霧」の3つの働き、水・油・薬剤・溶剤もOKの液体滴下装置です。 ある程度の精密性と応答性が必要な場合は電磁ポンプタイプを! 適応粘度は200cp程度まで。 粘度が高い液体とスラリー性質の場合はチューブポンプタイプを! 適応粘度は1000cp程度まで 【特長】 ○入力時間の短・長にかかわらず一定時間滴下動作を行う ○装置連動・簡易充填...
メーカー・取り扱い企業: 有限会社笠井製作所
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データは半導体メモリに保持され、メモリに電力が供給されている限り、デー…
『SRAM』は、各ビットを格納するために双安定ラッチ回路を使用する 半導体メモリの一種で、高速又は低消費電力を必要とする場合に使用されます。 トランジスタにはリークを抑えるための電力が不要なため、 定期的に更新する必要がありません。 SRAMの設計には、6つのトランジスタ(6Tメモリセル) で構成され、 コンデンサを使用しない一般的なCMOS技術プロセスが採用されています。 ...
メーカー・取り扱い企業: アールエスコンポーネンツ株式会社
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主に補助記憶装置として使用!高速なストレージ装置(SSDやUSBメモリ…
『不揮発性メモリ』(NVRAM)は、電源供給を行わなくてもデータを 保持する半導体メモリです。 当製品は、主に補助記憶装置として使用。DRAMなどの揮発性メモリに 比べると書き換え速度や耐久性(消去・上書き回数の上限)が低いため、 高速なストレージ装置(SSD...
メーカー・取り扱い企業: アールエスコンポーネンツ株式会社
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トランジスタ間に微量の電気を保持!電力が供給されているかどうかに関係な…
『フラッシュメモリ』は、データ記録を行う不揮発性メモリです。 EEPROM(電気的消去可能読み取り専用メモリ)の一種で、ブロック単位 でまとめて操作。フラッシュメモリ寿命は、通常1千~1万回程度の 書き込みと消去です。 書き込みサイクル数は限られており、変更頻度の低い ストレージに使用される傾向があります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 6...
メーカー・取り扱い企業: アールエスコンポーネンツ株式会社
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CPUとメインメモリの間の待ち時間は短縮され、プログラムの動作速度が向…
『DRAM』は、チップ中に形成された小さなキャパシタに電荷を貯めることで 情報を保持します。 RAMは種類によってCPUのクロックとメモリアクセスが非同期ですが、 SDRAMメモリは、同期している為、CPUとメインメモリの間の 待ち時間は短縮され、プログラムの動作速度が向...
メーカー・取り扱い企業: アールエスコンポーネンツ株式会社
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フラッシュメモリを組み込むよりも、コストが安価!高速書込み、高書換え回…
『強誘電体メモリ』は、FRAM、F-RAM、FeRAMとも呼ばれ、高速動作が 可能な不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、フラッシュメモリや EEPROMなどの不揮発性メモリと比べ、高速書込み、高書換え回数、 低消費電力などの特長を持っています。 CMOS技術を使用して埋め込ま...
メーカー・取り扱い企業: アールエスコンポーネンツ株式会社
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チップ全体ではなくデータをブロック単位で消去できます
『EPROM』は、電源をオフにした後もデータを保持する 不揮発性ROMメモリの一種です。 紫外線を照射することにより、書き込み、消去が可能。 パッケージの上部に透明な石英の窓があるのが特長で、この窓から 紫外線を照射することで、EP...
メーカー・取り扱い企業: アールエスコンポーネンツ株式会社
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