容器回転型混合機『無限ミキサー』

PR高充填・高精密・短時間混合を実現する斜円筒型容器回転混合機。精密､均質…

混合には、「対流」「せん断」「拡散」の要素が必要です。 この内、従来の容器回転型混合機は｢対流」の方向が一定であったことや、「せん断」の要素が小さかった為、時間をかけなければ精密で、均質な混合が出来ませんでした。 無∞限ミキサーは、激しい「対流」により「せん断」を生むことが出来る為、より早くより精密な混合結果を出すことが出来ます。 ------------------------------...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社徳寿工作所

タクボ・プレート熱交換器　HET/HEKシリーズ ※省エネルギー

PR気体対気体の排熱回収に優れ、各種乾燥機などから排出される“熱”を最大限…

タクボ・プレート式熱交換器 HET/HEK シリーズは、自社独自開発・特許取得のプレート構造が誇る熱回収効率で驚異のコストパフォーマンスを実現しました。内部伝熱板が2つのチャンネルを完全分離、排気中の湿気・ダストを完全にシャットアウト、”熱”のみを最高の状態で再利用できます。 【特徴】 ■通常のヒートシンク式熱交換器に比べ広大な伝熱板面積を有します。 ■80％以上の熱回収率を誇り（タクボ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社タクボ精機製作所

連続導通モード PFC IC

非常に低いシステムコストで高効率を実現！周波数範囲は20～250kHz

『連続導通モード PFC IC』は、BiCMOSテクノロジーを採用した第2世代の 連続伝導モード(CCM)PFCコントローラーです。 前世代と比較して、内部リファレンスが低く、3Vにトリミングされているほか、 より広いVCC動作範囲、改善された内部発振器、追加の直接バルクコンデンサ 過電圧保護などの利点があります。 ※英語版カタログをダウンロ...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

磁気電流センサー『XENSIV TLE4973』

自動車および産業用途向け！内部異常監視のための自己診断機能付き

CおよびDC電流の一方向 または双方向測定用の高精度コアレス電流センサーファミリです。 ASIL B製品として分類されているため、自動車アプリケーションでの 使用に好適。 全タイプに内部異常監視のための自己診断機能が付いています。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

TLE9015DQU iso UARTトランシーバー

エラー管理ロジックを使用した双方向通信方式！低コストでシステム可用性を…

【その他の特長】 ■UARTからiso UARTまで、完全に透明性のある通信スキーム ■UART側のピン数を最小化するために内部ロジックを内蔵 ■差動電流エッジトリガー式iso UART通信インターフェース ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

自動車用3次元磁気ホールセンサ『TLE493D-P2B6』

3D磁気測定原理により実装部品数削減！高い柔軟性により、幅広いアプリケ…

能安全をサポートします。 【特長】 ■3D（X、Y、Z）磁束密度センシング：最大±160 mT ■プログラム可能な磁束分解能：～65 μT（typ.） ■X-Y角測定モード ■センサー内部回路の故障可否をチェックする診断測定機能 ■消費電力7nA（typ.）のWake Up機能およびパワーダウンモード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

OptiMOS パワーMOSFET 25V～100V

ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止！高い…

ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

62mmパワーモジュール『FF600R12KT4』

4つのベースプレート取り付け穴は、コスト効率の良い迅速かつ容易なモジュ…

【その他の特長】 ■62mmの標準パッケージで高い電力密度を実現 ■20nHの低浮遊インダクタンスと左右対称の内部構造 ■IGBT3と比較して、寿命が2倍に向上 ■パワーサイクル性能がIGBT3と比較して4倍向上 ■沿面距離とクリアランス距離を最適化した設計 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社