Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

『RTP-100』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルのプロセスも可能です。 最大到達温度1200℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ12対応　高速アニール加熱システム VPO-1000-300

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

『VPO-1000-300』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ12インチ・Φ6インチ・4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルの プロセスも可能。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。GaNやSiCなどの 新材料...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

『RTP-150』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社