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PR殺虫剤不使用!熱でトコジラミの成虫・幼虫・卵を駆除!
Zapp Bugはテント内を60℃まで加熱・維持し安全に害虫を駆除することができます。 トコジラミは発見が難しい害虫で対応が遅れると繁殖の機会を与えてしまい甚大な被害をもたらしてしまうことがあります。 Zapp Bugで可能な熱処理は薬剤を使わず安全に駆除することができ、従来薬剤が効かない卵の駆除も可能となります。 衣類といった小物から寝具や小型家具まで多くの物に対して使用することができ、昨今問...
メーカー・取り扱い企業: 鵬図商事株式会社
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PRご提案から設計、組立、制御、ロボットティーチ、据付、全て内製で行えます…
スターテクノは愛知県岩倉市にあるSIer企業です。 弊社ではお客様のニーズに合わせた自動化システムをご提案いたします。 ■切る:ゲートカット(樹脂) / 穴あけミリング加工(樹脂) / トリミング(樹脂) XYテーブルカッター(CFRP、ゴム、紙、プラダン) ■接合:接着剤塗布 / 超音波溶着 / ホットメルト材塗布 ■搬送 : 箱供給機 / 部品供給 / ピッキング ■その他:段ボール...
メーカー・取り扱い企業: スターテクノ株式会社
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SIMS:二次イオン質量分析法
■極浅深さ方向分布の測定法 (1)斜入射法における深さ方向分解能の限界 斜入射法における深さ方向分解能の一次イオンエネルギー依存性をδドープ試料を用いて調査しました(図1)。斜入射法においては、クレータ底面の粗れにより深さ方向分解能の向上に限界があることがわかります(図2)。 (2)垂直入射法による深さ方向分解能の向上 垂直及び斜入射法におけるBピーク(δドー...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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非晶質(ガラス)二酸化ケイ素(SiO2)のラマン散乱分光法による構造解…
光学材料・医療機器から装身具に至るまで幅広く用いられていますが、非晶質であるガラスとして構造解析を行うことは非常に困難です。ガラス中でSiO2が環状に結合することに着目し、ラマン測定を行いました。(図1) 単結晶石英ではガラス状態のスペクトルとは著しく異なり、長距離秩序によるフォノンバンドが観測されます。(図2, 図3)...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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イメージングSIMS分析により面内分布を可視化
デバイス作成の要素の一つである膜組成の均一性と不純物の分布状態をイメージングSIMS分析により評価しました。 測定後のデータ処理により、平面イメージ(図1)・断面イメージ(図2)・任意箇所の深さ方向分布プロファイル(図3, 4)・ラインプロファイルを得ることができます。構成材料・不純物の分布から、プロセス・膜質改善に繋がる情報を得ることができます。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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茶カテキンとカフェインの濃度評価および製品比較
MSTではLC/MS/MSを用いて茶カテキンの定性・定量分析が可能です。本資料では、お茶を入れる温度・時間によるEGCGの濃度変化を観察しました(図1)。温度が高いほどEGCGの抽出効率が高く、抽出5分後までの抽出量が大きいことが分かりました。また、市販のお茶6製品に含まれる茶カテキン量を比較し、紅茶や烏龍茶よりも緑茶に多く含まれていることを確...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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DSC(示差走査熱量)測定による熱物性評価
C(示差走査熱量測定法)を用いて硬化温度及び耐熱性の指標となるガラス転移温度(Tg)を調査しました。硬化前の樹脂をDSC測定したところ、約103℃付近から急激な発熱反応が開始するのが確認されました(図1)。これは昇温加熱により樹脂の重合(硬化)が起きたためです。更に、硬化後の樹脂を室温まで空冷した後、再度DSC測定したところ、樹脂のガラス転移に起因するベースラインの吸熱側へのシフトが確認され、T...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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イメージングSIMSによって局在する元素の評価が可能
NPT-IGBTエミッタ側の50μm角の領域についてイメージングSIMS測定を行いました。図1に分析によって得られた11B,Asのイオンイメージを示します。11BとAsは同じ領域に注入されていることがわかります。 また、通常の分析では検出領域全体の各元素の平均濃度が算出されてしまいますが...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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パフ表面のデジタルマイクロスコープ観察
て評価しました。 デジタルマイクロスコープは光学顕微鏡と比べて被写界深度があり、顕微鏡ではピントが合わなかった凹凸の大きな対象物も正確に観察することが可能です。 市販の海外製パフ表面の観察結果を図1~4に示します。パフの表面形状とファンデーションの付き具合が確認できます。また、図5のように手の表面を直接観察することも可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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OPAポストカラム法により高感度かつ選択的なアミノ酸分析が可能
OPAポストカラム法は、アミノ酸をカラムで分離後に蛍光試薬OPAと反応させ、蛍光を検出する方法です(図1,2)。この方法ではニンヒドリン法に比べて高感度の分析が可能です。蛍光試薬OPAは一級アミンと選択的に反応するため、夾雑成分の影響を受けにくく選択性の高い分析が可能です。プロリンは二級アミノ酸です...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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対象元素に応じて測定条件を選択
ブル薄膜Si太陽電池において、a-Si(アモルファスシリコン)中のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。樹脂で封止されたサンプルを解体し、SIMS分析を行いました。 Bの分析(図3)では表面側の浅い箇所に存在するため、深さ方向分解能を高めて測定を行いました。 Pの分析(図4)ではa-Si中に多量のHが存在して質量干渉を起こすため、高質量分解能法によりH+Siを分離してPの...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ドーパントの活性化率に関する評価が可能
SRA(Spreading Resistance Analysis)はサンプルを斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です(図1)。 キャリア濃度分布を評価することで、ドーパントの活性化状況についての知見を得ることが可能です。 一例として、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部(図2)についてSRAを行っ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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太陽電池(PV)の組成評価や同定・膜圧評価・形状評価・結晶構造評価など…
下のドーパントの濃度 分布を定量的に評価した事例、成膜したCIGS薄膜の組成について、ICP-MSで 高精度に定量した事例、CIGSとCdSがヘテロエピタキシャル接合している様子 などを、分析図・構造図・模式図などの各種データを掲載して、わかりやすく ご紹介しております。 ■その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能
SiCパワーMOS FET(図1)において、ゲートパッド部下のSiC中にてドーパント元素であるAlの濃度分布を素子表面側から及び裏面側からSIMSで評価しました(図2)。 分析を進める方向に関係なく深さ約0.5μm以降の分布も...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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固定方法の工夫により特殊な形状でも分析可能
下の小さなチップや特殊な形状の試料についても固定の前処理を施すことで分析が可能です。 微量成分を調べたい試料の中には、微小チップやワイヤー状試料など、通常では分析には適さない形状のものがあります(図1)。このような試料では固定を行った後に分析を行います(図2)。他にも試料の断面や側面、特殊な形状の試料においても前処理を施すことで分析が可能となる場合があります。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SEMと同等の視野で大気成分などの不純物の面内分布を可視化
SIMS分析はウエハや基板以外にも様々な形状の試料に適用可能です。本事例では、ワイヤー中の不 純物分布を評価した事例をご紹介します。 ワイヤー側面から深さ方向に不純物分布を評価した結果(図2)H、O、F、S、Clなどの不純物プロファイル には深さに応じて強弱があり、ワイヤー中に局在していることが示唆されます。ワイヤー断面の元素マッ ピングを行った結果(図3)ワイヤー中に不純物が局在し...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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適切なサンプリングと顕微測定で異物周辺情報の影響を軽減
グを併用した顕微FT-IR分析が有効な異物の評価事例を紹介します。 下地の影響がほとんど無い電極上異物はフラックスと同定されましたが、プリント基板上異物からは異物由来の情報が取得できませんでした(図1)。無機結晶上にサンプリングを行うことで異物の情報が得られ、異物はフラックスと同定されました(図2)。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ハロゲン(F、Cl、Br)、硫黄の分析が可能です
燃焼-イオンクロマトグラフ(IC)法では、プラスチックや樹脂等の固体材料や、有機溶媒等の液体材料に含有するハロゲン(F、Cl、Br)や硫黄の含有量を調査することが可能です。 図1に示す通り、サンプルを燃焼炉で燃焼分解させることにより発生したガスを吸収液に捕集します。この吸収液をイオンクロマトグラフ法で測定することで、水に溶けない固体サンプル中のハロゲンや硫黄含有量を測定す...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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XRD:X線回折法
のあおり角度)とβ(試料の面内回転角)の2つのパラメータを変化させてあらゆる方向に傾いた結晶面を測定します。高い回折強度が観測される方向に結晶方位が集中していることを示します。また、測定結果は右下の図のような極図形で表します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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技能試験FAPASに参加し、分析値の精度を保証しています
炭水化物を多く含む食品を120℃以上の高温で加熱調理した際に、発がん性を有する可能性のあるアクリルアミドが生成することが2002年に発表され(図1)、注目を集めています。農林水産省HP(※1)によると、アクリルアミドはじゃがいもを揚げたスナック、トースト、コーヒーなど数多くの食品に含まれています。 MSTでは、技能試験FAPASに参加し、...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Slope面出し加工された有機多層構造試料のTOF-SIMS成分分析
XPSで4層の異なる有機化合物(或いは有機金属錯体)で形成されていると推定された有機EL素子(図1)について、TOF-SIMS分析を行いました。多層構造試料についてはスパッタを併用した深さ方向分析も行われますが、今回は構成成分の結合を壊さずに測定するために、Slope面を作製して各層を露出させ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SIMS分析によりH, C, N, O, Fなどを1ppm以下まで評価…
評価が難しい半導体基板中のH,C,N,Oを1ppm(約5E16atoms/cm3)以下まで、Fを1ppb(約5E13atoms/cm3)以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例(図1)とIII-V族半導体のバックグラウンドレベルを紹介します(表2)。III-V族半導体以外にも、金属膜・絶縁膜など各種材料で標準試料をとりえ揃えており、高感度な定量分析が可能です。半導体基板など各...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TOF-SIMSを用いてPETボトルの層ごとの成分を特定可能
PETボトルはわずかな空気(酸素)を透過するため、PETボトル内の飲料は、外部からの酸素侵入の影響を受けやすくなり、品質が劣化します。そのためにPETボトルには様々な工夫がなされており、例えば図1のように酸素吸収層をPET間に挟むことで飲料の劣化を防ぎ、おいしいさが保たれています。 本資料では、酸素吸収層がどのようなものから構成されているのかを確認するために、TOF-SIMSで分析した結...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能
り、極浅い領域における不純物の深さ方向分布評価の必要性が高まっています。 正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。図1にBF2+ 1keV, P+ 1keV, As+ 1keVで注入されたSiウエハを一次イオンビームエネルギー250eV~300eVを用いて測定した例を示します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TEM-EELSにより、微小領域の元素同定・化学状態分析が可能です
2試料(写真1)について電子線プローブを約1nmΦ(FWHM)まで絞って測定を行いました。試料から取得したEELSスペクトルは、Ti, Oともにアナターゼ型TiO2の標準スペクトルと一致しています(図1, 2)。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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膜厚1nm程度のSiON中Nの評価が可能
高感度なSIMS分析が得意とする低濃度領域に至るまで、SiON膜中Nの分布を深さ方向に評価し、N量(単位:atoms/cm2)を高い精度で評価が可能です(図1)。またNをatomic%へ変換(図2)、Nのフィッテングカーブ算出することができ、フィッティングによりNのピーク濃度・深さ・半値幅を算出(図3)することが可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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表面の凹凸の影響を受けない高精度な測定が可能です
しています。SIMS分析を行う上で、表面の凹凸は深さ方向分解能の低下を招きます。表面からの測定では表面凹凸及びノックオンの影響により、CIGS中へCd, Zn, Oなどが拡散しているように見えます(図3)が、基板側(裏面側)から測定することにより、Cd, Zn, OなどのCIGS層中への顕著な拡散がないことがわかります。(図4) 相互拡散の他にも、主成分(Cu, In, Ga, Se)の組成変化...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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薄膜成分の付着量を試料間で比較
能です。 本事例では、蒸着装置を用いて任意量のAuを成膜した4inchのSiウエハA・Bを試料として、Auの分布および総付着量の比較を行いました。 面分析の結果より、Auの分布状態が確認できました(図1~4)。また、各画素から得られたXRFスペクトルのAu強度より付着量を比較し、ウエハBはAより多いことを確認しました(図5)。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TOF-SIMS深さ方向分析による劣化評価
輝度が劣化した素子の有機層を大気に曝さずに前処理から深さ方向分析までを行った結果、通電後のサンプルではAlq3/発光層界面に拡散が見られました。 Slope Mapping(図1)およびイオンスパッタを利用した深さ方向分析(図2)の両方で同様の結果が得られています。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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適切なサンプリングで異物周辺情報の影響を軽減
となる場合には、サンプリングを併用することにより測定が可能となります。 下地の影響のほとんど無い電極上異物はフラックスと同定されましたが、プリント基板上異物は異物由来の情報が取得できませんでした(図1)。下地の影響の無い無機結晶上にサンプリングを行うことで、異物の情報が得られ、異物はフラックスと同定されました(図2)。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】パワーデバイスのドーパント及びキャリア濃度分布の評価
複合解析で活性化率に関する評価が可能
Viewerを用いれば、お手元でSIMSのデータとSRAのデータを重ね、解析することが可能です。 一例として、市販のダイオードチップについて、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部(図1)および裏面について、SIMSとSRAを行った事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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金属成分と有機成分を同時に評価可能です
て、歩留まり向上の観点から、ウエハの裏面の清浄度向上に加え、ウエハのベベル部に残留する物質を除去することが求められています。今回、ベベル傾斜面のTOF-SIMS分析を行い、汚染の分布を評価しました(図2)。また、付着物と正常部・汚染源のマススペクトルを比較し、付着物は汚染源の金属(Cr)成分・有機物成分と一致していることがわかりました。 TOF-SIMSにてベベル部(端面と傾斜面)の汚染の発生...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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