第一原理計算によるワイドギャップ半導体GaNにおける欠陥準位解析

点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など様々な物性情報が得られます

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）は主にパワーデバイスの分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が高まっています。高信頼性を有するGaNの開発にあたっては、結晶中の欠陥量の低減や欠陥がもたらす電気/光学特性などへの影響の理解が重要です。本資料では第一原理計算を用いてGaN中の...

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