【資料】5G(28GHz 帯)用コネクタ型 ミリ波アンプ紹介

計測器に必須の広帯域フラットなゲイン特性など！種々の特長を持たせた個性…

「低 NF(<4dB)」をはじめ、「P1dB 出力(>100mW、+20dBm)」や 「フラットゲイン(<+/-2dB)」などの3種類の性能別に特長を掲載。 LNAに必須の低NF、基地局や中継局に必須の高ゲイン高出力、計測器に必須の 広帯域フラットなゲイン特性など、種々の特長を持たせた個性的なアンプを 取り揃えています。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■...

メーカー・取り扱い企業： ミニサーキットヨコハマ株式会社

株式会社アールエーディー　会社案内

広帯域の高周波パワーアンプ・電力増幅器のことなら株式会社アールエーディ…

2.5GHz/1kW ・10k～1GHz/1.5kW ・200M～1GHz/1kW ・25M～200MHz/1kW ・2G～4GHz/400W　ほか ■その他試験用途 ・デジタル通信/基地局用 　PHS/PDC/CDMA/GSM/OFDM ・放送機器用 　FM/VHF/UHF/地上デジタル ・半導体/電子デバイス試験用 　300M～6GHz/200W ・耐圧/暴露試験用 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アールエーディー

５G、WPT、ISMバンド向けハイパワーGaN/LDMOSを販売

5G 基地局用450W 内部整合GaN HEMT、9dBバックオフで5…

ファラッドは、HF、高周波GaN/LDMOSパワートランジスタを設計製造するISO9000/ISO14000認証メーカーInnogrationTechnologies（中国）社製品の取扱いを開始しました。 日本及び世界の半導体製造装置、工業用マイクロ波アンプ・ジェネレータ、4G/5G通信等の用途に数多く実績があります。 高効率・高出力を目指し2.45GHz帯390W GaN HEMT、...

メーカー・取り扱い企業： ファラッド株式会社