• 『熱硬化型焼結銅ペースト』半導体パッケージの高集積化に貢献 製品画像

    『熱硬化型焼結銅ペースト』半導体パッケージの高集積化に貢献

    PR低抵抗・高放熱を実現する銅ペースト。200℃以上の加熱で焼結し、大気硬…

    当社の『熱硬化型焼結銅ペースト』は、半導体パッケージに対し 低抵抗・高放熱といった優れた性能を付与できる樹脂含有型ペーストです。 さらに200℃以上の加熱で焼結するほか、大気硬化も可能です。 半導体パッケージの高集積化などへの対応に必要な特性を備えています。 【特徴】 ■銀ペーストと同等の電気的特性を保持しながら、イオンマイグレーションを低減 ■独自の特殊処方で硬化中の酸化を防ぎ、大気硬化によ...

    • 熱硬化型焼結銅ペースト.jpg

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ADEKA

  •  特長的な基板にも対応可能な!3D局所加熱のIHはんだ付け装置 製品画像

    特長的な基板にも対応可能な!3D局所加熱のIHはんだ付け装置

    PR大きな熱量の出力も可能なため幅広い基板に"1台"で…

    『S-WAVE301H』は、大きな熱量を要するプリント基板を スポット加熱する製品です。 バスパー、パワー半導体、4層基板、高多層基板、厚銅基板、 セラミック基板、金属ベース基板といった特長的な基板にも対応可能。 低消費電力、高い加熱効率などの特長はそのままです。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低消費電力、高い加熱効率 ■大きな熱量を要...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社富山技販

  • アニール炉『ANNEALウエハーアニール装置』 製品画像

    アニール炉『ANNEALウエハーアニール装置』

    Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板…

    高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

  • アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』 製品画像

    アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』

    SiC3, TiC3コーティングヒーター採用:様々なプロセス環境に対応…

    ◉Max2000℃(真空中1x10-5Torr, N2, Ar) ◉3種類のヒーター材質: ・高純度グラファイト:Φ6〜Φ8inch ・SiC3(炭化珪素)コーティング:Φ4〜Φ8inch ・TiC3(チタン・カーバイド)コーティング:Φ4〜Φ8inch ◉使用雰囲気: ・真空・不活性ガス(グラファイト) ・還元雰囲気(TiC3コーティング) ◉試料台サイズφ4inch〜φ8inc...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

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