【パワーデバイス】大電流用ソケット

PR様々なカスタム設計が可能！ご要望に応じて試験治具の設計提案も承ります

『大電流用ソケット』は、IGBT、電流センサ等のパワーデバイスに対応するテストソケットです。 デバイスの放熱性向上用のためのクランプ固定式やネジ止め式など様々な カスタム設計が可能。低抵抗な材料を用いて100A以上の大電流に対して 製作できます。 大電流の需要が高まっているので、パワーエレクトロニクス分野へ力を入れています。 【特長】 ■IGBT、電流センサ等のパワーデバイスに...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ＳＤＫ

シース外径Φ1.8mmのシーズヒーター『細径シーズヒーター』

PRシース外径φ1.8mmにより自由で複雑な曲げ、巻き加工が容易に。様々な…

一般的にΦ1.8mmなどのシース外径の細いヒーターは”マイクロヒーター”と 呼ばれます。”マイクロヒーター”は直線状の発熱線が使われているのが特徴 です。 弊社の『細径シーズヒーター』は、マイクロヒーターとほぼ同じシース外径 でありながら、コイル状に巻かれた発熱線を使用しています。そのため、 発熱線の仕様によってさまざまな抵抗値を選べるので、ご希望に合わせた ヒーター長、容量の細径...

メーカー・取り扱い企業： 新熱工業株式会社 本社

OBIRCH分析（光ビーム加熱抵抗変動法）

OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗…

OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です。 ・配線やビア内のボイド・析出物の位置を特定可能。 ・コンタクトの抵抗異常を特定可能。 ・配線ショート箇所を特定可能。 ・DC電流...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

SSRMは、バイアスが印加された試料の表面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。 シリコン半導体素子を計測した場合、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感度があります。 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SRA］広がり抵抗測定法

SRA：Spreading Resistance Analysis

SRAは測定試料を斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です。 SRP（Spreading Resistance Profiling）とも呼ばれます。 ・ 導電型(p型/n型)の判定が可能 ・ 深さ方向のキャリア濃度分布の評価が可...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SRAの濃度換算について

SRA：広がり抵抗測定法

１. 斜め研磨した試料面に2探針を接触させ直下の広がり抵抗（Ω）を測定する ２. 標準試料の測定より校正曲線＊）を作成し、それを用いて抵抗を比抵抗（Ω・cm）に換算するまた、必要に応じて体積補正による分布の補正を行う ＊)校正曲線は導電型(p型/n型...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

研究開発を強力サポート　「受託分析サービス」

お客様からお預かりした材料・製品の受託分析を行います。前処理から測定ま…

法 ○X線回折関連 XRD　X線回折法 SAXS　X線小角散乱法 XRR　X線反射率法 ○SPM関連 AFM　原子間力顕微鏡法 SCM　走査型静電容量顕微鏡法 SSRM　走査型広がり抵抗顕微鏡法 ○その他の測定法 白色干渉計測法 TG-DTA-MS,DSC　熱分析 EMS　エミッション顕微鏡法 『加工法・処理法』 ○FIB法 集束イオンビーム加工 ○SSDP用加工...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】積層セラミックコンデンサ(MLCC)の加熱SSRM

誘電体内の伝導パス(絶縁劣化箇所)の可視化

層セラミックコンデンサ(MLCC)は、内部電極(金属)/誘電体層(絶縁体)/内部電極(金属)の積層構造を有するコンデンサです。MLCCの問題の一つとして高電界かつ高温下における誘電体層の絶縁劣化(低抵抗化)、つまり電極間ショートがあります。誘電体層内に形成される低抵抗な伝導パスを可視化することは絶縁劣化現象を解明する重要な手がかりとなります。本資料では、SSRM測定(高電界)と加熱機構(高温)を組...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】酸化物ReRAM動作領域の元素分布評価

酸化物デバイスにおける局所元素分布を酸素同位体を用いて高感度に評価

酸化物ReRAMでは、電場印加に伴う酸素拡散がメモリ動作（抵抗変化）と関連しているとされていました。 SIMS分析では同位体を測定可能であるため、同位体18Oイオン注入技術を利用すれば、酸素拡散の追跡が可能となります。18Oを局所的に注入した素子に対し、電場...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ＰＶ（太陽電池）各種評価事例集

太陽電池（ＰＶ）の組成評価や同定・膜圧評価・形状評価・結晶構造評価など…

定量、面内分布、深さ方向分布の評価が可能 →測定法：SIMS・ICP-MS・XRF・エッチング ○CIGS薄膜太陽電池へテロ接合界面の観察 →超高分解能STEMによるCdS/CIGS接合界面高抵抗層の結晶構造評価 →測定法：TEM ○Ｘ線によるＺｎ系バッファ層の複合評価 →組成・結合状態・構造・密度の評価が可能 →測定法：XPS・XRD・XRR・研磨 ●その他詳細は、カタログを...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si-IGBTチップのキャリア濃度分布評価

フィールドストップ層およびライフタイムキラーのSRA評価

SRAでは、キャリアの深さ方向濃度分布を浅い領域（数100nm）から深い領域（数100μm）までの幅広いレンジで分析が可能です。また、試料表面や指定深さにおける抵抗値の面内分布評価も可能です。 一例として、市販品のSi-IGBTチップを解体し、チップ全体/フィールドストップ層/ライフタイムキラーの深さ方向濃度分布評価と、ライフタイムキラー照射深さにおける抵抗...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si基板へのAl,Gaの拡散評価

SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定

コスト低減の観点から、GaNを材料としたパワーデバイスの基板には高抵抗Si基板の活用が期待されています。しかしながら、高温で成膜する際にAl,GaがSi基板表面に拡散してしまうと、低抵抗層が形成されリークの原因と言われております。 そこで、Si基板中へのAl,Gaの...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

EMS分析（エミッション顕微鏡法）

故障箇所を迅速に特定

リアの電界加速、電流集中、Ｆ-Ｎトンネル電流など電界加速キャリア散乱緩和発光によるもの、pn接合順方向バイアス、ラッチアップなどバンド間キャリア再結合発光によるもの、配線間ショート、配線の細りによる抵抗増大による熱放射などがあります。...

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【分析事例】近赤外VCSELのSMMによるキャリア分布評価

実装品の解体・加工から拡散層の計測までを一貫して行えます

近赤外VCSEL（面発光レーザー）の実装品を解体して微小なチップを取り出し、断面加工の後にSMM計測を実施しました。 VCSELの開口部を取り囲むように、高抵抗の電流狭窄層が観察されました。また、活性層近傍では材質の異なる膜が積層しており、この組成を反映したコントラストとして計測されました。同一組成の層内にもコントラストが確認され、これはキャリア濃度差やバ...

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【分析事例】注射針表面のコーティング膜評価

撥水膜・塗膜・皮膜の分布状態や被覆状態の可視化

医療用注射針は金属管の表面にシリコーンをコーティングすることで、穿刺抵抗を低下させ患者の身体的負担を低減させています。針の性能を保つためには、全体がコーティング膜に覆われていることが重要です。注射針先端の開口部分についてTOF-SIMSでイメージング分析を行い、コーティ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パワーデバイスのキャリア濃度分布評価

ドーパントの活性化率に関する評価が可能

SRA（Spreading Resistance Analysis）はサンプルを斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です（図1）。 キャリア濃度分布を評価することで、ドーパントの活性化状況についての知見を得ることが可能です。 一例として、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部(図2...

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【分析事例】CIGS太陽電池へテロ接合界面の抵抗評価

真空下での走査型広がり抵抗顕微鏡（SSRM）による局所抵抗分布評価

CIGS薄膜太陽電池のZnO/CdS/CIGSの多結晶へテロ接合界面をSSRM法で分析し、局所的な抵抗分布を計測しました。真空環境下で測定することで、測定表面の吸着水を除去し、高空間分解能を得ることができます。測定結果から、ナノメートルレベルの空間分解能で各層の抵抗値を計測できていることが分かります...

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【分析事例】リチウムイオン二次電池の電極材料の評価

正極合剤の各種部材の分散の評価

SSRM（走査型広がり抵抗顕微鏡法）を用いてリチウム二次電池の電極材料の抵抗測定を行うことが可能です。抵抗値の異なる部材で構成されている電極合剤では、各種材料の混合具合また電気的活性、不活性の活物質の確認が出来る可能性があり...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】LIB(リチウムイオン)正極材料の抵抗分布評価

正極材料の導電性をSSRMを用いてマッピング

リチウムイオン二次電池の正極について、その形状と導電性をマッピングすることで、周囲と絶縁された結晶粒や劣化によって導電性が低下した活物質の分布を可視化することが可能です。 本事例では、リチウムイオン二次電池の正極を機械研磨によって断面を作製してSSRM測定を行い、統計処理によって材質の分布を推定した結果をご紹介します。 測定法：SSRM 製品分野：二次電池 分析目的：組成分布評価・形状評価...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS薄膜太陽電池へテロ接合界面の観察

超高分解能STEMによるCdS/CIGS接合界面高抵抗層の結晶構造評価

Csコレクタ付STEM装置を用いてCdS/CIGSヘテロ接合界面を直接観察しました。 TEM像・高分解能HAADF-STEM像および第一原理計算を用いたシミュレーションから、CIGSとCdSがヘテロエピタキシャル接合している様子が確認されました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SRAの深さ換算について

SRA：広がり抵抗測定法

SR測定は試料を斜め研磨して、その試料面に2探針を移動させながら接触させ、直下の電気抵抗を測定します。 ある測定点における試料表面からの深さは三角関数の定義より、試料の斜め研磨角度をθとした時のSinθの値（ベベルアングル) とベベルエッジからその測定点までの距離の積より求められます...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST