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    バリ取り機AUDEBU IQNOIA(オーデブイクノイア)

    PR特許出願中の吸着システム!高い生産性と環境性能を両立させた新しいバリ取…

    『AUDEBU IQNOIA(オーデブイクノイア)』は、独自開発した新吸着構造を搭載し、これまで加工困難であった小物ワークの吸着固定は可能にし、さらに消費電力30%減を実現した、革新的なバリ取り機です。 また、ブラシ回転部にマグネットシステムを採用し、オイルレスかつ非接触のためメンテナンスフリーを実現しました。 デュアルコンベアは、左右のコンベアは駆動方向や速度が独立した設定も可能。異...

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    メーカー・取り扱い企業: オーセンテック株式会社

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    リレーユニット『URY120-T1』

    PR電力量計の負荷側を開閉制御する装置!遠隔制御が可能で屋外(雨線内)でも…

    『URY120-T1』は、当社の電子式電力量計120Aと接続することにより、 最大120Aの大電流を開閉制御することができるリレーユニットです。 自動検針システムと組み合わせることで遠隔制御ができ、普通耐候形 電力量計と同一構造のため、屋外(雨線内)でも使用可能。 電力量計の負荷側に接続し、"横配置"または"重ね配置"で設置します。 "重ね配置"の場合、オプションの「ブラケット」が必要となりま...

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    メーカー・取り扱い企業: 埼広エンジニヤリング株式会社

  • 【分析事例】電子デバイス内特異箇所の複合解析 製品画像

    【分析事例】電子デバイス内特異箇所の複合解析

    デバイス内部の構造を複合的に評価します

    MSTでは電子デバイス内部の構造評価に適した技術を取り揃えており、観察視野や目的に応じた分析手法をご提案します。 本資料では、X線CTとFIB-SEMを用いてデバイスの特異箇所を調査した事例を紹介します。まずX線CTを用いてサ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価 製品画像

    【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

    SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

    近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSF...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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