【分析事例】X線吸収・発光分光によるバンド構造評価

材料の価電子帯・伝導帯・ギャップ内準位の詳細な情報が得られます

価電子帯・伝導帯・ギャップ内準位といったバンド構造の把握は極めて重要な評価項目となっていますが、それらを直接的かつ詳細に評価する分析手法は限られています。放射光を用いたX線吸収分光(XAS)とX線発光分光(XES)の同時測定からはバンド構造の全容が把握できると共に、それらを構成する元素・軌道の帰属といった詳細な情報も得ることが可能です。 本資料では測定例としてGaN基板のXAS・XESスペクトル...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

蛍光寿命測定

Fluorescence lifetime measurement

物質に光を照射し、励起された電子が基底状態に戻る際の過程の一つに発光（フォトルミネッセンス）があります。そのうち、パルスレーザーにより物質を瞬間的に励起し、発光の減衰時間を測定する手法が時間分解フォトルミネッセンスと呼ばれるものであり、得られたスペクトルを解析することにより、蛍光寿命を算出します。 物質の蛍光寿命を測定することにより発光過渡現象をよりダイナミックに把握できます。このため、蛍光...

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［PL］フォトルミネッセンス法

PL：PhotoLuminescence

フォトルミネッセンス法とは、物質に光を照射し、励起された電子が基底状態に戻る際に発生する光を　観測する方法です。得られる発光スペクトルから、様々な情報を得ることが可能です。 ・バンドギャップ約3.5eVまでのサンプルを励起することが可能 ・マッピング機能により、広範囲の情報を得ることが可能 ・約10Kまでの測定が可能 ・一般的に非破壊の測定であり、特殊な前処理が不要 ...フォトルミ...

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【分析事例】軟X線発光分光によるGaNの評価

価電子帯・ギャップ内準位について元素別の情報が得られます

放射光を用いた軟X線発光分光（SXES）は材料を構成する各元素について、フェルミ準位近傍の部分状態密度（pDOS）を直接的に得られるため、材料の電子状態を評価する手法として幅広く用いられています。さらに本手法の特長として、1...

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