［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

SSRMは、バイアスが印加された試料の表面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。 シリコン半導体素子を計測した場合、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感度があります。 ・ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

MOS構造となり、半導体表面の酸化膜の静電容量COxと半導体の静電容量CDが接続された系とみなすことができます。この系に対して高周波電圧VACを印加すると、合成容量Cが変動します。 この変動は探針直下の半導体中のキャリアの振動によるものにほかならず、変動の大きさは探針直下のキャリア濃度に依存します。 探針を走査させながら、合成容量Cの変動Cにより生じる高周波共振器の変調信号を測定することで、キ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

静止バルーンによる簡易・無人空撮システム『スカイキャッチャー』

風に強い小型バルーンを使った簡易空撮システム スカイキャッチャー

可能 →荒天時や高圧電線、飛行場に近い所は撮影出来ない場合もあります ○風に強い：相対風速15m/sの威力 →走行中の自動車、船上より追従させて自走の撮影も可能になった ○視界：高度250m直下の場合 ⇒ 250m →鳥瞰の場合には、数キロ先までの撮影が可能 →水平方向:360度回転（パノラマ撮影も可） ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社アイティーティー

［SRA］広がり抵抗測定法

SRA：Spreading Resistance Analysis

斜め研磨した試料面に2探針を接触させ、直下の電気抵抗を測定します。 校正用標準試料の測定値と比較する事で、測定した拡がり抵抗を比抵抗（Ω・cm）に換算します。 さらに、比抵抗とキャリア濃度の関係を示すThurberの曲線を用いてキャリア...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

床衝撃音レベル測定（床衝撃音遮断性能測定）

標準床衝撃を使い、どれだけの大きさで下階の室内に聞こえるか測定し、評価…

軽量および重量衝撃音源（タッピングマシン・バングマシン）を用いて、測定対象の床を加振し衝撃音を発生させ、直下において軽量：等価音圧レベル、重量：最大音圧レベルを測定し、床衝撃音レベルを求めます。その結果よりL値を算出し、評価します。...

メーカー・取り扱い企業： 環境リサーチ株式会社