管路曲り測定装置 孔曲り測定　削孔曲り測定　レンタルOK

PRアンカー工事、地盤改良工事等のボーリング孔の曲り測定や埋設管（水道、通…

『NEMONAVI』は、管路内にセンサーユニットを通すことにより、管路の真直度や位置を測定することができる装置です。 主にアンカー工事で地中に挿入埋設された外管の真直度の計測や、埋設物直下での自在ボーリング工法のロッドの位置計測に使われています。 ～デモンストレーション（無償）ご希望される方はご連絡下さるか、カタログをダウンロード下さいませ！～ 【特長】 ◎測定の開始から...

メーカー・取り扱い企業： 根本企画工業株式会社

［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

SSRMは、バイアスが印加された試料の表面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。 シリコン半導体素子を計測した場合、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感度があります。 ・ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

MOS構造となり、半導体表面の酸化膜の静電容量COxと半導体の静電容量CDが接続された系とみなすことができます。この系に対して高周波電圧VACを印加すると、合成容量Cが変動します。 この変動は探針直下の半導体中のキャリアの振動によるものにほかならず、変動の大きさは探針直下のキャリア濃度に依存します。 探針を走査させながら、合成容量Cの変動Cにより生じる高周波共振器の変調信号を測定することで、キ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SRAの濃度換算について

SRA：広がり抵抗測定法

１. 斜め研磨した試料面に2探針を接触させ直下の広がり抵抗（Ω）を測定する ２. 標準試料の測定より校正曲線＊）を作成し、それを用いて抵抗を比抵抗（Ω・cm）に換算するまた、必要に応じて体積補正による分布の補正を行う ＊)校正曲線は導電型...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価

SSDP-SIMSによる測定面の凹凸・高濃度層の影響を避けた測定

。基板側からの測定ではノックオンなどの影響が見られず、より正確な突き抜け量評価が可能であることがわかります。このように、バリアメタルのバリア性・Low-k膜中への金属の入り込み・凹凸のあるシリサイド直下の評価にSSDP-SIMSが有効です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ＰＶ（太陽電池）各種評価事例集

太陽電池（ＰＶ）の組成評価や同定・膜圧評価・形状評価・結晶構造評価など…

な部品・材料、装置、セル・モジュールが一堂に出展する展示会『PV EXPO　2013』で使用したパネル資料全6枚のご紹介です。 [掲載内容] 有機薄膜太陽電池の活性層の組成分布評価や、電極直下のドーパントの濃度 分布を定量的に評価した事例、成膜したCIGS薄膜の組成について、ICP-MSで 高精度に定量した事例、CIGSとCdSがヘテロエピタキシャル接合している様子 などを、分析図...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SRA］広がり抵抗測定法

SRA：Spreading Resistance Analysis

斜め研磨した試料面に2探針を接触させ、直下の電気抵抗を測定します。 校正用標準試料の測定値と比較する事で、測定した拡がり抵抗を比抵抗（Ω・cm）に換算します。 さらに、比抵抗とキャリア濃度の関係を示すThurberの曲線を用いてキャリア...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SRAの深さ換算について

SRA：広がり抵抗測定法

SR測定は試料を斜め研磨して、その試料面に2探針を移動させながら接触させ、直下の電気抵抗を測定します。 ある測定点における試料表面からの深さは三角関数の定義より、試料の斜め研磨角度をθとした時のSinθの値（ベベルアングル) とベベルエッジからその測定点までの距離の積より求...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

、キャリア濃度分布をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されていることが分かり、ゲート直下にはChannel Epitaxial層が存在することが分かりました。Channel Epitaxial層の端部では、Source層に一部濃度の低下が確認されました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】結晶Si太陽電池の拡散層評価

ドーパントの定量評価およびキャリアの分布評価

裏面電極型結晶Si太陽電池（バックコンタクト型Si太陽電池）において、電極直下のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。また、キャリアの分布評価を行うことで、p/nの極性判定や空乏層を断面方向から可視化することが可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST