• ◆パイロット ファインセミックス◆ <展示会出展> 製品画像

    ◆パイロット ファインセミックス◆ <展示会出展>

    PR高純度アルミナ、ジルコニアのセラミックスで微細孔・多孔貫通孔の押出成形…

    パイロットはシャープ芯の押出成形技術を生かし、 微細な貫通孔のセラミックス製造を得意としています。 単孔のパイプ状から多孔のフィルター状の物まで製作いたします。 外径Φ0.2~Φ8、内径Φ0.005~、長さ120mm程度までの 高純度アルミナ、ジルコニア、窒化アルミを提供。 異なる孔径の組合せや異なる外形状と内形状の組合せなども可能ですので お気軽にご相談ください。 【セラミックの性質】 ■...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社パイロットコーポレーション

  • USB/CANインターフェイス『Kvaser U100』 製品画像

    USB/CANインターフェイス『Kvaser U100』

    PR【納期1週間!】ガルバニック絶縁、IP67のシングルチャンネルCAN/…

    『Kvaser U100』は、進化する自動車開発市場のニーズに真正面から対応する 強化されたガルバニック絶縁を備えた堅牢なシングルチャネルCAN/CANFD-USBインターフェイスです。 独自の電気回路の保護を強化し、防振、耐衝撃、落下防止のハウジング、高品質の ケーブルを利用して、CANインターフェース設計の新しい基準を確立。 J1939、CANopen、NMEA2000R、SocketCA...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社Renas

  • 【分析事例】積層セラミックコンデンサ(MLCC)の加熱SSRM 製品画像

    【分析事例】積層セラミックコンデンサ(MLCC)の加熱SSRM

    誘電体内の伝導パス(絶縁劣化箇所)の可視化

    積層セラミックコンデンサ(MLCC)は、内部電極(金属)/誘電体層(絶縁体)/内部電極(金属)の積層構造を有するコンデンサです。MLCCの問題の一つとして高電界かつ高温下における誘電体層の絶縁劣化(低抵抗化)、つまり電極間ショートがあります。誘電体層内に形成される低抵抗...

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    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】酸化アルミニウム薄膜の局所構造解析 製品画像

    【分析事例】酸化アルミニウム薄膜の局所構造解析

    成膜条件の違いによる膜の微細構造の変化を捉えることが可能です

    酸化アルミニウムは優れた耐摩耗性、耐熱性などの性質から各種産業用機械・製造装置用部品などに用いられています。 また、化学的安定性や高い絶縁性も有していることから、その薄膜は触媒の担体や磁気トンネル接合の絶縁層などにも用いられています。成膜条件によってアモルファス構造や様々な結晶構造をとり得る酸化アルミニウム膜の微細構造の評価はXAFS...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】導電性塗料中の成分の分析 製品画像

    【分析事例】導電性塗料中の成分の分析

    試料冷却により塗料中の添加剤の形状と成分、および分散状態を評価

    導電性塗料は、絶縁性材料に導電性を持たせるために用いられています。もともと絶縁性である塗料自体に導電性を持たせるために、塗料中には添加剤が加えられています。 本資料では、導電性の異なる2種類の導電性塗料について、塗...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • テープ粘着剤の構造解析|受託分析 製品画像

    テープ粘着剤の構造解析|受託分析

    熱分解GC/MS法により粘着剤の構造解析が可能

    粘着テープは日用品としての用途をはじめ、医療用・建築用・絶縁用等、幅広い用途に使用されています。これに用いられる粘着剤はその用途によって異なり、種々の素材が使われています。 本事例では市販粘着テープの粘着剤について、熱分解GC/MS法による構造解析を行なっ...

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    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析 製品画像

    【分析事例】Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析

    断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です

    IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)はパワー半導体モジュールとして、家電用品から産業機器まで様々な製品に使用されています。 IGBTは特性改善のためにライフタイム制御が行われていますが、この制御はドリフ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析 製品画像

    【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

    シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

    アモルファスSiNx(a-SiNx)膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られて...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】半導体基板中軽元素の高感度分析 製品画像

    【分析事例】半導体基板中軽元素の高感度分析

    SIMS分析によりH, C, N, O, Fなどを1ppm以下まで評価…

    5E13atoms/cm3)以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例(図1)とIII-V族半導体のバックグラウンドレベルを紹介します(表2)。III-V族半導体以外にも、金属膜・絶縁膜など各種材料で標準試料をとりえ揃えており、高感度な定量分析が可能です。半導体基板など各種材料のバルク分析や半導体プロセス中のガス成分の混入評価などに最適です。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】ラマンマッピングによる応力評価 製品画像

    【分析事例】ラマンマッピングによる応力評価

    試料断面における応力分布を確認することが可能です

    晶Siのラマンスペクトルのピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。 IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の断面について、ラマンマッピングで応力の分布を確認した例を示します。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】二酸化ケイ素の構造解析 製品画像

    【分析事例】二酸化ケイ素の構造解析

    非晶質(ガラス)二酸化ケイ素(SiO2)のラマン散乱分光法による構造解…

    二酸化ケイ素(SiO2)は半導体における絶縁膜・FPDの基板材料・光学材料・医療機器から装身具に至るまで幅広く用いられていますが、非晶質であるガラスとして構造解析を行うことは非常に困難です。ガラス中でSiO2が環状に結合することに着目し、ラマ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】ホール側壁ONO膜の構造観察 製品画像

    【分析事例】ホール側壁ONO膜の構造観察

    FIB法による特定箇所の平面TEM観察

    ナノオーダーでの加工が可能なFIB技術を用いることにより、特定箇所の平面TEM観察が可能です。 これにより、断面からの観察では構造の確認が困難なホール側壁のキャパシタ絶縁膜のONO三層構造(シリコン酸化膜/シリコン窒化膜/シリコン酸化膜)が確認できます。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • [SXES]軟X線発光分光法 製品画像

    [SXES]軟X線発光分光法

    SXESは、物質から発光される軟X線を用いて化学結合状態を評価する手法…

    形状は価電子帯における着目元素の部分状態密度を反映 ・X線吸収スペクトル(XAS)との同時測定によってバンド構造の評価も可能 ・バルクの情報が得られるため、表面近傍数nmの影響を受けにくい ・絶縁物に対しても帯電の影響を受けずに評価が可能 ・検出下限が低く(<1atomic%)、微量成分であっても評価が可能...

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    [XPS]X線光電子分光法

    試料表面(数nm程度の深さ)の元素の種類、存在量、化学結合状態評価に有…

    sis とも呼ばれています。 ・固体表面(約2~8nm)の元素の定性・定量が可能 ・化学結合状態分析が可能 ・非破壊で分析が可能 ・深さ方向分布(イオンスパッタを併用)の測定が可能 ・絶縁物の測定が可能 ・雰囲気制御下での測定が可能...

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    [GDMS]グロー放電質量分析法

    特定の質量イオンを解離・フラグメント化させ、質量分析計で検出

    であり、半定量値です。 ・微量元素(ppbレベル)から主成分レベルまでのバルク分析が可能 ・μmオーダーの深さ方向分析、薄膜分析が可能 ・導電性材料、及び補助電極を用いることで半導体材料、絶縁物材料も分析が可能 ・質量分解能が高く、妨害イオンの除去が可能 ・水素と希ガスを除く、Li以下のほとんどの元素について測定が可能 ・同位体比測定が可能...

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  • 【分析事例】ポリイミド成分の深さ方向分析 製品画像

    【分析事例】ポリイミド成分の深さ方向分析

    TOF-SIMSによる高分子・樹脂・フィルムの表面改質層の深さ方向の評…

    ポリイミドは非常に耐熱性が高く電気絶縁性も優れていることから、電子部品をはじめとして様々な分野で用いられている材料です。表面改質を行うことで他の材料との密着性を高めることができることから、改質層の状態を把握することが重要です。今回、有機...

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    【分析事例】FT-IRによる樹脂の硬化反応評価(3)

    官能基の変化を捉えることで樹脂の硬化度を評価することが可能です

    耐薬品性や電気絶縁性などに優れている樹脂は、様々な電子部品の絶縁体、コーティング剤、接着剤として利用されています。FT-IR分析は、樹脂の硬化度等の不良原因を調査することが可能で、製品開発に有効です。 一例として、...

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    【分析事例】エポキシ樹脂の構造解析

    熱分解GC/MS法によるLED封止材の構造解析

    エポキシ樹脂は耐熱性、耐薬品性、絶縁性に優れ、機械的強度も高いため、電子機器の絶縁材料、接着剤、塗料、建築材料など種々の用途に用いられています。しかし溶剤溶解性が無いことから、構造決定のための分析手段は限られてしまいます。本事例ではL...

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  • 【分析事例】FT-IRによるポリイミド樹脂の硬化度評価 製品画像

    【分析事例】FT-IRによるポリイミド樹脂の硬化度評価

    官能基の変化を捉えることで樹脂のイミド化率を評価することが可能です

    耐薬品性や電気絶縁性などに優れている樹脂は、様々な電子部品の絶縁体、コーティング剤、接着剤として利用されています。FT-IR分析は、樹脂の硬化度等の不良原因を調査することが可能で、製品開発に有効です。一例として、ポリ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】ポリイミド樹脂の構造解析 製品画像

    【分析事例】ポリイミド樹脂の構造解析

    熱分解GC/MS法によりポリイミド樹脂の構造解析が可能

    ポリイミド樹脂は耐熱性・耐薬品性・強靭性に優れ、また絶縁性も高いため、電子機器の絶縁材料をはじめ種々の用途に用いられています。しかし溶剤溶解性がほとんど無いことから、構造決定のための分析手段は限られてしまいます。本事例では市販のポリイミド樹脂の熱分解GC...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    【分析事例】LIB(リチウムイオン)正極材料の抵抗分布評価

    正極材料の導電性をSSRMを用いてマッピング

    リチウムイオン二次電池の正極について、その形状と導電性をマッピングすることで、周囲と絶縁された結晶粒や劣化によって導電性が低下した活物質の分布を可視化することが可能です。 本事例では、リチウムイオン二次電池の正極を機械研磨によって断面を作製してSSRM測定を行い、統計処理によって材質...

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  • 【分析事例】エポキシ樹脂の定性 製品画像

    【分析事例】エポキシ樹脂の定性

    TOF-SIMS分析による成分の推定が可能

    エポキシ樹脂は、優れた機械特性・耐薬品性・電気絶縁性を有することから、プリント基板やIC封止材など電子部品用途として、広く使用されています。エポキシ樹脂の原材料に一般的に用いられるビスフェノール類の試薬について、TOF-SIMSで測定したデータを取...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】FT-IRによる樹脂の硬化反応評価 製品画像

    【分析事例】FT-IRによる樹脂の硬化反応評価

    官能基の変化を捉えることで樹脂の硬化度を評価することが可能です

    耐薬品性や電気絶縁性などに優れている樹脂は、様々な電子部品の絶縁体、コーティング剤、接着剤として利用されています。FT-IR分析は、樹脂の硬化度等の不良原因を調査することが可能で、製品開発に有効です。 一例として...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】軟X線発光分光によるGaNの評価 製品画像

    【分析事例】軟X線発光分光によるGaNの評価

    価電子帯・ギャップ内準位について元素別の情報が得られます

    各元素について、フェルミ準位近傍の部分状態密度(pDOS)を直接的に得られるため、材料の電子状態を評価する手法として幅広く用いられています。さらに本手法の特長として、1.バルクの情報が得られる 2.絶縁物に対しても帯電の影響を受けず評価可能 3.検出下限が低い(<1atomic%)などが挙げられ、特に軽元素(B,C,N,O等)を含んだ材料の評価に有効です。本資料では測定例としてGaN基板のSXES...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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