法令違反にならない磁界測定器【新JIS規格に適合】

PRボタン1つで簡単に電力設備周りの磁界を高精度で測定でき、軽量かつ片手で…

3次元磁界測定器TMM-3は、電力設備等から発生する磁界の強度を計測できるポータブル測定器です。電気設備に関する技術基準を定める省令では、JISに適合した測定器で測定することを要求しています。そのJIS規格が、2017年にJIS C 1910-1に置き換えられたこと受け、新JISに対応するTMM-3を開発しました。2024年内に販売予定です。 このような方にオススメです！ ・電気設備を法令...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社電力テクノシステムズ

【様々な設備でも手軽に電力計測】センシングパッケージ

PR「簡易電力計測パッケージby C-BOX」で古い設備、複雑配線な装置の…

【ポイント】 ・オールインワンでパッケージ化されて税別16万円～の低価格 ・すぐに電力削減活動への取り組みを開始 ・簡単に持ち運びできるため計測箇所の変更が自由 【簡易計測パッケージby C-BOXとは】 センサとC-BOXで1対1の通信を行い、電源とモニタに接続するだけで簡単に無線センシングが始められる商品となっています。工場/オフィスに関わらず、設備・センサを繋ぐIoTを安価に導...

メーカー・取り扱い企業： 新東工業株式会社

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板の品質評価

結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスを製造する上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し、数値化・可視化する方法を提案いたします。 測定法：XRD・AFM・PL・SIMS 製品分野：パワーデバイス・照明 分析目的：微量濃度評価・構造評価...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST