約１秒で結果を出す！高圧1500Vの太陽光発電のIV計測

PR約１秒で結果を表示する短時間計測が可能！発電システムの竣工点検・定期点…

『イプシロン1500V』は、高圧化する太陽光発電システムの メンテナンスに対応したI-Vカーブトレーサーです。 PVアナライザ「イプシロン400/1000」の特長を引き継ぎながら、 1500[V]計測を実現しました 【特長】 ■短時間計測（結果表示まで約1秒・日射や影の急変の影響を受けにくい） ■シンプルな操作性（事前設定が必要なくワンボタンで計測可能） ■本機と計測ユニット...

メーカー・取り扱い企業： 日本カーネルシステム株式会社 本社

【デモ機無料貸出し中】高精度CW 小型LDドライバー

PR高精度な電流制御で高い安定性を実現、産業機器や医療機器の組込み用として…

『CW LDドライバー TLA-514』は、小型で組込み用に好適です。 安定性に優れ評価用から量産まで対応。量産時も長年構築した部材調達網で高品質な製品を少量から安定供給致します。 電圧・電流の仕様範囲内で汎用的に使用でき、セミカスタムが可能です。 デモ機貸し出しも行っておりますので、お気軽にお問い合わせ下さい。 【LDドライバー　TLA-514仕様(抜粋)】 ■入力電圧：L...

メーカー・取り扱い企業： 東北電子産業株式会社 東京支店

【分析事例】極低加速電圧条件での微細構造観察

極低加速SEM観察によるセパレータ構造評価

状といった微細構造は製品の特性や機能を左右します。材料が樹脂やポリプロピレン(PP)など軟化点が低い場合、観察時の電子線照射により試料が損傷を受け、本来の構造が変化してしまうことがあります。 加速電圧0.1kVという極低加速SEM観察により、変質を抑えて試料最表面の形状を詳細に評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SEM］走査電子顕微鏡法

高倍率観察(30万倍程度まで)が可能

Secondary Electron;SE）像、反射電子（BackScattered Electron;BSE）像、透過電子（Transmitted Electron;TE）像の観察が可能 ・加速電圧0.1～30kVの範囲で観察が可能 ・最大6インチまで装置に搬入可能（装置による） ・SEMにオプションを組み合わせることにより、様々な情報を得ることが可能 　EDX検出器による元素分析が可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

TEM_SEMによる有機EL_OLED_ゲート酸化膜の断面観察

低加速STEM観察により、低密度な膜でもコントラストがつきます

密度が低い膜について、高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることは困難ですが、低加速電圧のSEM-STEM1)像では、わずかな密度の違いを反映し、組成コントラストをはっきりつけることができます。密...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有機薄膜太陽電池の断面観察

低加速電圧のSTEMを用いると有機膜のわずかな密度の違いが観えます

p型・n型材料の混合膜を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、高効率化のために膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。密度が低い膜（有機膜など）においては、TEM専用機を用いた高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることが困難です。 一方、わずかな密度の違いが反映される低加速電圧のSTEM像観察では膜内の混合状態が明瞭に観察できています。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

OBIRCH分析（光ビーム加熱抵抗変動法）

OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗…

１.レーザを被観察領域に走査する。レーザ照射された配線部位は温度が上昇し、抵抗が変化する。 ２.レーザの走査に同期して電流値（または電圧値）を読み取る。 ３.ボイド・析出物等の欠陥は配線正常部とTCRが異なるため、抵抗変化量も異なり特異な電流値（または電圧値）として検出される。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察

前処理から発光箇所特定まで一貫解析

高電圧電源（2000Vまで印加可能）を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査

高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 2000Vまで印加可能な高電圧電源を用い、高耐圧で低リーク電流のパワーデバイスを動作させ、エミッション顕微鏡で故障箇所を特定する例を紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

■広がり抵抗とは 試料にバイアス電圧を加えて、探針直下に存在するキャリアを探針に流入させ、その電流を対数アンプで増幅して、抵抗値として計測します。このとき、印加したバイアス電圧は、探針の直下で急激に減衰します。そのため、探針に流入でき...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SIM］走査イオン顕微鏡法

高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM像観察が可能

・高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM像観察が可能 ・SEM像に比べてSIM像の方が極表面層の情報が得られる ・金属結晶粒観察が可能（Al, Cu等) ・分解能はSEM像より劣る（SIM：4nm, SE...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［FIB］集束イオンビーム加工

FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで試料表面を走…

m程度） ・SEM・SEM-STEM・TEM像観察用試料作製（特定箇所の断面出しが可能） ・微細パターン（数μm～数十μm）のデポジション薄膜形成が可能（C・W・Ptの成膜） ・高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM（Scanning Ion Microscope）像観察が可能 ・SIM像で金属結晶粒（Al, Cu等）の観察が可能...

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［GC/MS］ガスクロマトグラフィー質量分析法

有機化合物の定性・定量を行う分析手法です

成したイオン（分子イオン）の一部はさらに開裂してフラグメントイオンが生成します。 ■質量分離(四重極型) 生成したイオンは4本のロッドからなる四重極型質量分析計に導入されます。ロッドにかける電圧を調整することにより、特定の質量のイオンのみが検出器に到達し分子の質量情報を有するマススペクトルが得られます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】液晶材料の分子構造解析

GC/TOFMSにより液晶ディスプレイ中液晶分子の構造推定が可能です。

液晶パネルの応答速度、駆動電圧、コントラストの信頼性特性は、液晶分子構造などに起因します。そのため、分子構造の詳細を解析することは、液晶パネルの表示特性を制御するのに不可欠です。ここでは、市販品のパネル中の液体成分を抽出し、GC...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】FIB低加速加工

FIB：集束イオンビーム加工

FIBを用いたTEM観察用薄膜試料作製法では、高エネルギーのGaイオン（加速電圧30kV)を用いており、加工面にダメージ層が生じ、TEMの像質低下の原因となっています。そこで従来より低加速(2kV)の加工を行うことでダメージ層が低減でき、像質が改善されました。 FIB低加速加...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

気容量変化によるキャリア分布の可視化 探針と半導体との接触箇所はMOS構造となり、半導体表面の酸化膜の静電容量COxと半導体の静電容量CDが接続された系とみなすことができます。この系に対して高周波電圧VACを印加すると、合成容量Cが変動します。 この変動は探針直下の半導体中のキャリアの振動によるものにほかならず、変動の大きさは探針直下のキャリア濃度に依存します。 探針を走査させながら、合成容...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有機薄膜太陽電池の活性層の組成分布評価

雰囲気制御下での前処理および深さ方向分析が可能です

p型・n型材料の活性層を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。 成膜後アニール処理をすることで、開回路電圧の変化なくフィルファクターの向上に伴い光電変換効率の向上が見られた試料について、TOF-SIMS深さ方向分析を行いました。その結果、PEDOT:PSS層との界面において、アニール前ではPCBMが偏析...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST