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PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…
ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...
メーカー・取り扱い企業: ティー・ケイ・エス株式会社
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高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工!プロセスガスからラジカルを選択的に…
『CCP-T60M/B2M』は、高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工を実現する 平行平板型エッチング装置です。 プロセスガスからラジカルを選択的に生成し、低電子温度、高密度プラズマが 得られる60MHzパワーを上部電極に印加。 また、常に適切なエッチングプロセス条件が維持されるシーケンスプログラムを 内蔵しています。 【特長】 ■平行平板型エッチン...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社片桐エンジニアリング
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