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PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…
ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...
メーカー・取り扱い企業: ティー・ケイ・エス株式会社
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緻密な酸化膜厚膜(~10μm)を高速形成。新開発イオン化機構搭載 C…
緻密で耐プラズマ性の高いイットリア膜やSiC膜を高速形成。 高密度プラズマによる反応性プロセスによりCVDより低温で溶射法より緻密な膜質を実現。 半導体関連部品にも応用可能なクリーンな成膜プロセスを実現。 PVD法のため装置のメンテナンスも容易で低コスト。 ...
メーカー・取り扱い企業: 神港精機株式会社 東京支店
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