第三の光加熱源！LEDアニール装置

PR加熱効率向上で省エネルギー化！高速応答性でサーマルバジェット低減を実現

『LEDアニール装置』は、ハロゲンヒータ、フラッシュランプに次ぐ 第三の光加熱源です。 加熱効率向上で省エネルギー化、高速応答性でサーマルバジェット低減を実現。 放射温度計によるリアルタイム温度計測が可能です。 また、基板表面の加熱ができ、金属材料に優れた加熱効率を発揮します。 【特長】 ■加熱効率向上 ■高速応答性 ■高精度温度計測 ■高均一性 ■基板表面の加熱が...

メーカー・取り扱い企業： ウシオ電機株式会社

高加速寿命試験装置(HAST装置)『PC-422R9』

PR優れた性能を誇る二槽式構造のHAST装置。新型コントローラーを搭載し、…

『PC-422R9』は、試験槽と蒸気発生槽が完全に分離独立した高加速寿命試験装置(HAST装置)です。 高精度温湿度プログラムコントローラーを搭載し、HAST装置としてより高精度な加速評価を実現。また、外部端末と連携した遠隔操作も実現し、簡単に監視・操作ができます。 【特長】 ■新型温湿度プログラムコントローラーで、高精度な加速評価を実現。 ■対話式カラータッチパネルで、より操作性...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社平山製作所

Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

『RTP-100』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルのプロセスも可能です。 最大到達温度1200℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ12対応　高速アニール加熱システム VPO-1000-300

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

『VPO-1000-300』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ12インチ・Φ6インチ・4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルの プロセスも可能。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。GaNやSiCなどの 新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

『RTP-150』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 　高濃度水素ガスパージにも対応 ■上下24本の...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社